Транзистори мосфети IGBT біполярні
100 ГРН
торг
Транзистори великий вибір зі складу НВП ІМС за готівковий та безготівковий (з пдв) розрахунок, наявність та ціни -
htt
Харьков
Драйверы IGBT, Mosfet с опторазвязкой - оптроны TLP190B
37 ГРН
торг
Оптроны - драйверы Mosfet с гальванической развязкой TLP190B (P190B) оригинальные производства Toshiba обеспечивают разв
Харьков
Мікросхема SIE20034 DIP-8 (драйвер IGBT)
1 635 ГРН
SIE20034
IGBT DRIVER
8 PIN DIP
16-LINE
DIGITAL
DEMULTIPLEXER
Луцк
Транзистор 40N60NPFD ( SGT40N60FD1P7) оригинал, IGBT, TO-3P
95 ГРН
Технічні параметри:
Корпус - TO-247
Структура — n-канал + діод
Максимальна напруга стік-висток — 600 вольтів
Максимальн
Кропивницкий
Транзистор IGBT G30N60A4 G30N60A4 600V 75A TO-247
100 ГРН
Тип транзизатора: IGBT
Маркування: G30N60A4
Тип керівного каналу: N-Channel
Тип корпусу: ТО247
Завантажити Datasheet G
Кропивницкий
Транзистори MOSFET N-P-N P-N-P
100 ГРН
торг
Транзистори великий вибір зі складу НВП ІМС наявність та ціни дивіться прайс -
https://www.ims.kh.ua/xls/vt_import.xls
Харьков
Транзисторы мосфет полевые и IGBT со склада
100 ГРН
торг
Транзисторы в том числе SMD и силовые со склада большой выбор подробно цены и наличие смотрите прайс: https://www.ims.kh
Харьков
Польовий транзистор 50T65FD1. IGBT транзистор для інвертора
75 ГРН
Польовий транзистор 50T65FD1.
IGBT-транзистор.
Транзистор для ремонту інвертора, зварки.
Максимальний струм: 50 А;
Макс
Кропивницкий
Транзистор IGBT IKW50N60T K50T60 600V 50A TO-247
85 ГРН
Тип транзизатора: IGBT
Маркування: K50T60
Тип керівного каналу: N-Channel
Максимальна розсіювана потужність (Pc), W: 333
Кропивницкий
Модуль IGBT транзистор 1MBI200SA-120B-52 200A 1200v
1 100 ГРН
Модуль IGBT транзистор 1MBI200SA-120B-52 200A 1200v, повністю робочі, перевірені.
Красилов
Транзисторы IGBT 25 видов в интернет-магазине Радиодетали у Бороды
35 ГРН
торг
-
Транзисторы IGBT 25 видов
в интернет-магазине Радиодетали у Бороды
-
IRG4BC10K n 600v 9(18)a 38w to220 1 шт. по 34
Одесса
Чип RJP63K2 TO-263, Транзистор IGBT 630В 35А
35 ГРН
Биполярный транзистор RJP63K2 в корпусе TO263. Модель: RJP63K2Напряжение коллектор-эмиттер: 630 ВТок коллектора: 35 АНап
Киев
Чип IRG7IC28U IRG71C28U TO-220FP, Транзистор IGBT 600В 25А
35 ГРН
Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT IRG7IC28U в корпусе TO-220FP / TO-220-3-FP (Full Package - основание
Киев
Чип HCPL-3120 A3120 SMD-8, Оптопара Оптрон с драйвером IGBT
25 ГРН
Оптрон с драйвером для IGBT и MOSFET транзисторов A 3120 (HCPL-3120) в корпусе SMD8. Модель: A 3120 (HCPL-3120)Напряжени
Киев
Ивано-Франковск
Транзистор FGH60N60SFD IGBT N-ch 600V 60A TO247 б.у оригинал (18076)
103 ГРН
Транзистор FGH60N60SFD IGBT N-ch 600V 60A TO247 б.у оригинал.
Технические характеристики Наименование: FGH60N60SMD Ти
Ивано-Франковск
Транзистор FGL40N120ANDTU IGBT 1200V 64A TO-264 (18276)
70 ГРН
Транзистор FGL40N120ANDTU IGBT 1200V 64A TO-264.
Ивано-Франковск
Транзистор полевой IGBT G40T60AN3H G40T60 600V 40A TO-3P (19294)
106 ГРН
Транзистор полевой IGBT G40T60AN3H G40T60 600V 40A TO-3P.
Ивано-Франковск
Транзистор полевой IGBT IKW50N60T K50T60 600V 50A TO-247 (19292)
106 ГРН
Транзистор полевой IGBT IKW50N60T K50T60 600V 50A TO-247.
Ивано-Франковск
Транзистор полевой IGW40T60K 40T60 IGBT 600V 40A TO-3P (19291)
69 ГРН
Транзистор полевой IGW40T60K 40T60 IGBT 600V 40A TO-3P.
Ивано-Франковск
Транзистор полевой SGP30N60HS G30N60HS IGBT N-Ch 600V 40A TO220 (19290)
47 ГРН
Транзистор полевой SGP30N60HS G30N60HS IGBT N-Ch 600V 40A TO220.
Ивано-Франковск
Транзистор биполярный IRG4BC30KD G4BC30KD IGBT 600V 28A TO220 (19288)
47 ГРН
Транзистор биполярный IRG4BC30KD G4BC30KD IGBT 600V 28A TO220.
Ивано-Франковск