Драйверы IGBT, Mosfet с опторазвязкой - оптроны TLP190B
37 ГРН
торг
Оптроны - драйверы Mosfet с гальванической развязкой TLP190B (P190B) оригинальные производства Toshiba обеспечивают разв
Харьков
Транзистори мосфети IGBT біполярні
100 ГРН
торг
Транзистори великий вибір зі складу НВП ІМС за готівковий та безготівковий (з пдв) розрахунок, наявність та ціни -
htt
Харьков
Транзистори MOSFET N-P-N P-N-P
100 ГРН
торг
Транзистори великий вибір зі складу НВП ІМС наявність та ціни дивіться прайс -
https://www.ims.kh.ua/xls/vt_import.xls
Харьков
Чип RJP63K2 TO-263, Транзистор IGBT 630В 35А
35 ГРН
Биполярный транзистор RJP63K2 в корпусе TO263. Модель: RJP63K2Напряжение коллектор-эмиттер: 630 ВТок коллектора: 35 АНап
Киев
IGBT-транзистор K20T60 ( IKW20N60T ) TO247
85 ГРН
Технічні параметри:
Корпус - TO-247
Максимальна напруга стоток — 600 вольтів 20 А
Максимальний струм за 25 oC — 80 Ампе
Кропивницкий
Транзистор IGBT H20PR5 (IHW20N135R5, IHW20N135R5XKSA1 Infineon)
95 ГРН
Найменування: IHW20N135R5
Маркування: H2PR5
Тип керівного каналу: N-Channel
Максимальна розсіювана потужність (Pc): 288
Кропивницкий
Транзистор IGBT FGH40N60SFD 600 V, 60 A TO247
180 ГРН
Найменування: FGH60N60SFD
Тип керівного каналу: N-Channel
Максимальна розсіювана потужність (Pc):
Гранично-допустима нап
Кропивницкий
Транзистор IGBT G30N60A4 G30N60A4 600V 75A TO-247
100 ГРН
Тип транзизатора: IGBT
Маркування: G30N60A4
Тип керівного каналу: N-Channel
Тип корпусу: ТО247
Кропивницкий
Транзисторы мосфет полевые и IGBT со склада
100 ГРН
торг
Транзисторы в том числе SMD и силовые со склада большой выбор подробно цены и наличие смотрите прайс: https://www.ims.kh
Харьков
Мікросхема SIE20034 DIP-8 (драйвер IGBT)
1 635 ГРН
SIE20034
IGBT DRIVER
8 PIN DIP
16-LINE
DIGITAL
DEMULTIPLEXER
Луцк
Транзистор GP50B60PD1 (IRGP50B60PD1PBF) IGBT 600В 75А TO-247AC
100 ГРН
Транзистор IRGP50B60PD1 — це високоефективний N-канальний IGBT транзистор із номінальними характеристиками 75А і 600 В,
Кропивницкий
Транзистор IGBT H30PR5 (IHW30N135R5, IHW30N135R5XKSA1 Infineon)
200 ГРН
Найменування: IHW30N135R5
Маркування: H30PR5
Тип керівного каналу: N-Channel
Максимальна розсіювана потужність (Pc): 288
Кропивницкий
Транзистор IGBT IKW50N60T K50T60 600V 50A TO-247
90 ГРН
Тип транзизатора: IGBT
Маркування: K50T60
Тип керівного каналу: N-Channel
Максимальна розсіювана потужність (Pc), W: 333
Кропивницкий
Чип IRG7IC28U IRG71C28U TO-220FP, Транзистор IGBT 600В 25А
35 ГРН
Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT IRG7IC28U в корпусе TO-220FP / TO-220-3-FP (Full Package - основание
Киев
Ивано-Франковск
Транзистор полевой IGBT IKW50N60T K50T60 600V 50A TO-247 (19292)
108 ГРН
Транзистор полевой IGBT IKW50N60T K50T60 600V 50A TO-247.
Ивано-Франковск
Транзистор полевой IGW40T60K 40T60 IGBT 600V 40A TO-3P (19291)
70 ГРН
Транзистор полевой IGW40T60K 40T60 IGBT 600V 40A TO-3P.
Ивано-Франковск
Транзистор полевой SGP30N60HS G30N60HS IGBT N-Ch 600V 40A TO220 (19290)
48 ГРН
Транзистор полевой SGP30N60HS G30N60HS IGBT N-Ch 600V 40A TO220.
Ивано-Франковск
Транзистор биполярный IRG4BC30KD G4BC30KD IGBT 600V 28A TO220 (19288)
48 ГРН
Транзистор биполярный IRG4BC30KD G4BC30KD IGBT 600V 28A TO220.
Ивано-Франковск
Транзистор IGBT 40N60NPFD SGT40N60FD1P7 TO-3P Потужний igbt транзистор Силовий т
85 ГРН
Транзистор IGBT 40N60NPFD SGT40N60FD1P7 TO-3P Мощный igbt транзистор Силовой транзистор igbt
IGBT (Insulated Gate Bipol
Кропивницкий
H20R1203 IHW20N120R3 PG-TO247-3 Транзистор IGBT 1200V 20A
70 ГРН
H20R1203 (IHW20N120R3) характеристики:
Призначення: для індукційних плит
H20R1203: транзистор IGBТ
Корпус: TO-247
Ви
Кропивницкий
Транзисторы IGBT 25 видов в интернет-магазине Радиодетали у Бороды
35 ГРН
торг
-
Транзисторы IGBT 25 видов
в интернет-магазине Радиодетали у Бороды
-
IRG4BC10K n 600v 9(18)a 38w to220 1 шт. по 34
Одесса