Транзистор GP50B60PD1 (IRGP50B60PD1PBF) IGBT 600В 75А TO-247AC

Описание

Транзистор IRGP50B60PD1 — це високоефективний N-канальний IGBT транзистор із номінальними характеристиками 75А і 600 В, обладнаний вбудованим антипаралельним HEXFRED® діодом на 25 А. Цей транзистор належить до родини WARP2TM, яка спеціально розроблене для використання в застосунках із високочастотною комутацією до 150 кГц і потужністю до 12 кВт.

Основні характеристики:
Тип: N-канальний IGBT транзистор
Максимальний струм колектора (Iс): 75А
Максимальна напруга колектор-емітер (Vce): 600В
Корпус: TO247
Вбудований діод: 25А HEXFRED®
Напруга насичення (Vce(sat)): < 2В під час струму 33А
Застосування:
Транзистор IRGP50B60PD1 застосовується в потужних коректорах коефіцієнта потужності, джерелах безперебійного живлення, імпульсних промислових джерел живлення й інверторних зварювальних апаратах.
Завдяки своїм високим струмовим і тепловим характеристикам, цей транзистор ідеальний для AC-DC перетворювачів, які використовуються в серверних і телекомунікаційних джерелах живлення.

Переваги:
Висока ефективність: Низькі втрати під час вимкнення та мінімальний час спаду під час вимкнення забезпечують високу ефективність у застосунках.
Теплові характеристики: Завдяки малій товщині кристала та високій питомій щільності струму транзистор має покращені теплові характеристики.
Самовирівнювання струмів: Позитивний тепловий коефіцієнт опору каналу дає змогу транзисторів автоматично вирівнювати струми за паралельного з'єднання, що покращує їхню надійність і довговічність.

Приклади використання:
Потужні імпульсні джерела живлення
Інверторні системи зварювання
Джерела безперебійного живлення (UPS)
Високоефективні AC-DC перетворювачі для серверів і телекомунікаційного обладнання
Цей транзистор ідеально підходить для застосування в пристроях, де потрібна висока надійність, низькі комутаційні втрати та чудові теплові характеристики, забезпечуючи водночас компактність і ефективність.

Характеристики
Позначення на корпусі GP50B60PD1
Тип каналу IGBT N-канальний
Наявність вбудованого діода
Максимальна напруга колектор-емітер 600 В
Максимальний струм колектор-емітер за 25 °C, 75 А
Імпульсний струм колектора 150 А
Максимальна розсіювана потужність 390 Вт
Напруга насичення колектор-емітер за +25 °C 2,35 В
Заряду затвора 205 нКл
Час увімкнення 30 нс
Час вимкнення 130 нс
Робоча температура -50... +150 ° C
Тип корпусу TO247