Польовий транзистор IRF530N MOSFET N-Ch 20 V 17A TO220AB
37 ГРН
Транзистор IRF630N MOSFET польовий N-канальний 20V 17A корпус TO-220AB
Максимальна розсіювана потужність (Pd): 70 W
Гр
Кропивницкий
Польовий транзистор IRF630N MOSFET N-Ch 200 V 9A TO220AB
37 ГРН
Транзистор IRF630N MOSFET польовий N-канальний 250V 14A корпус TO-220AB
Тип транзистори: N-канальний;
Максимальний струм
Кропивницкий
H20R1203 IHW20N120R3 PG-TO247-3 Транзистор IGBT 1200V 20A
70 ГРН
H20R1203 (IHW20N120R3) характеристики:
Призначення: для індукційних плит
H20R1203: транзистор IGBТ
Корпус: TO-247
Ви
Кропивницкий
Транзистор G60T60AK3HD CRG60T60AK3HD (заміна для G60T60A3H G60T60AK3SD , CRG60T6
105 ГРН
Транзистор G60T60AK3HD CRG60T60AK3HD (заміна для G60T60A3H G60T60AK3SD, CRG60T60AK3SD)
Технічні параметри:
Транзистор ор
Кропивницкий
IGBT-транзистор 40T120FES (MBQ40T120FES) (Заміна для 40T120FDS, MBQ40T120FDS, 40
100 ГРН
IGBT-транзистор 40T120FES (MBQ40T120FES) (Заміна для 40T120FDS, MBQ40T120FDS, 40T120FDHA, MBQ40T120FDHA,
IGBT-транзисто
Кропивницкий
Транзистор HY4008 N-Ch 80V 200A MOSFET TO-247
65 ГРН
Транзистор HY4008 N-Ch 80V 200A MOSFET TO-247
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна потужність, що розсіюєт
Кропивницкий
Транзистор біполярний MJE13001 NPN 400 V 0,2 A TO-92 5 шт.
20 ГРН
Транзистор біполярний MJE13001
Технічні характеристики:
Бренд — UTC
Структура — NPN
Тип транзизора — Біполярний
Поту
Кропивницкий
Біполярний NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт
20 ГРН
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92
Технічні характеристики
Структура NPN
Тип транзистора Биполярный
Мощн
Кропивницкий
Транзистор биполярный D880-Y KSD880YTU NPN 60V 3A 40W TO-220 (18458)
12 ГРН
Транзистор биполярный D880-Y KSD880YTU NPN 60V 3A 40W TO-220.
Ивано-Франковск
Транзистор IRFP260NPBF N-канал 200V 49A TO-247AC (18266)
52 ГРН
Транзистор IRFP260NPBF N-канал 200V 49A TO-247AC.
Ивано-Франковск
Ивано-Франковск
Чип IRG7IC28U IRG71C28U TO-220FP, Транзистор IGBT 600В 25А
35 ГРН
Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT IRG7IC28U в корпусе TO-220FP / TO-220-3-FP (Full Package - основание
Киев
Чип IRFZ44N 10ШТ IRFZ44 TO-220, Транзистор полевой N-канальный
115 ГРН
Лот из 10 штПолевой транзистор IRFZ44N в корпусе TO220.Модель: IRFZ44NТип корпуса: TO220Структура: N-каналМаксимальное н
Киев
Чип IRF3205 10ШТ 3205 TO-220, Транзистор полевой N-канальный
145 ГРН
Лот из 10 штук!Полевой транзистор IRF3205 в корпусе TO-220.Модель: IRF3205Тип корпуса: TO-220Структура: N-каналМаксималь
Киев
Чип C945 100ШТ TO-92,Транзистор биполярный NPN, усилитель ВЧ
90 ГРН
Лот из 100 штук!Кремниевый транзистор С945 NPN-типа в корпусе ТО-92 (Wietron). Электроды располагаются в последовательно
Киев
Чип AO3400 100ШТ AO3400A A09T SOT-23, Транзистор MOSFET N-канальный
150 ГРН
Лот из 100 штук!N-канальный транзистор AO3400/AO3400A в корпусе SOT-23 для усилителей, генераторов сигналов, модуляторов
Киев
Чип 8205A 10ШТ 8205 TSSOP-6, Двойной транзистор MOSFET N-канальный
35 ГРН
Лот из 10 штук!Микросхема FS8205/FS8205A (8205L) из двух MOSFET транзисторов N-типа в корпусе TSSOP-6.Часто применяется
Киев
Чип BC847С 100ШТ BC847 1G SOT-23, Транзистор биполярный NPN
60 ГРН
Лот из 100 штук!Биполярный n-p-n транзистор BC847C в корпусе SOT-23 для усилителей, генераторов сигналов, модуляторов и
Киев
Чип AO3401 100ШТ A19T SOT-23, Транзистор MOSFET P-канальный
75 ГРН
Лот из 100 штук!P-канальный MOSFET транзистор A19T в корпусе SOT-23 для использования в переключающихся устройствах и ре
Киев
Чип 4N04R8 IPLU300N04S4-R8 PSOF8, Транзистор MOSFET N-канальный 40В 300А
70 ГРН
Мощный полевой транзистор производства компании Infineon Technologies. Чип имеет управляемый N-канал и обладает низким с
Киев
Чип IRF4905 10ШТ TO-220АВ, Транзистор полевой P-канальный
170 ГРН
Лот из 10 штук!Полевой транзистор IRF4905 в корпусе TO-220АВ. Предназначен для работы в регуляторах мощности, преобразов
Киев
Чип IRF840 10ШТ TO-220АВ, Транзистор полевой N-канальный
170 ГРН
Лот из 10 штук!Полевой транзистор IRF840 в корпусе TO-220АВ. Предназначен для работы в регуляторах мощности, преобразова
Киев