Микросхема транзистор FS8205S MOSFET SOT23-6 (11397)
4 ГРН
Транзисторная сборка FS8205S (FS8205) - Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET, SOT23-6. Технические характеристи
Ивано-Франковск
Транзистор MOS NCE30H29D NCE30H29 30V 290A TO-263 (18493)
37 ГРН
Транзистор MOS NCE30H29D NCE30H29 30V 290A TO-263.
Ивано-Франковск
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A 10шт (12433)
15 ГРН
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A. Технические характеристики Наименование прибора: AO3400 Маркировка: A
Ивано-Франковск
Ивано-Франковск
Силовой GaN транзистор SMD GS61004B-MR Галлий нитрит (20780)
430 ГРН
GS61004B — это силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме улучшения. Свойства GaN обеспечивают высокий ток, высокое напр
Ивано-Франковск
Силовой GaN транзистор INN700TJ190B в корпусе TO-220 Галлий нитрид (20782)
198 ГРН
Силовой GaN транзистор INN700TJ190B в корпусе TO-220 Параметры: Усиленный транзистор - реле с нормально закрытым контакт
Ивано-Франковск
Силовой GaN транзистор SMD INN100W032A Галлий нитрит (20786)
288 ГРН
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе WLCSP с размер
Ивано-Франковск
Транзистор FGH40N60SFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247 (17065)
64 ГРН
Транзистор FGH40N60SFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247. Тип транзистора:IGBT Напряжение коллектор-эмиттер:600В Ток коллект
Ивано-Франковск
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD (11740)
11 ГРН
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD. Технические характеристики Низкий коллектор-эмиттер напряжение насыщения Быстра
Ивано-Франковск
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)
9 ГРН
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал. Технические характеристики Наименование прибора: RU6888R Т
Ивано-Франковск
Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал (18078)
10 ГРН
Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал. Технические характеристики Наименование: TK80E08K3
Ивано-Франковск
Транзистор AOD442 D442 60V 37A MOSFET N-Ch TO-252 (17430)
25 ГРН
Транзистор AOD442 D442 60V 37A MOSFET N-Ch TO-252.
Ивано-Франковск
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А (11426)
10 ГРН
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А. Технические характеристики Структура: n-p-n Максимально допустимое напряжение
Ивано-Франковск
Биполярный NPN транзистор TIP120 60V 5A TO-220 (12518)
15 ГРН
Биполярный NPN транзистор TIP120 60V 5A TO-220. Технические характеристики Структура: npn с darl Макс. напр. к-б при за
Ивано-Франковск
Ремкомплект микросхема TH8056 KDC-A и два транзисторы W17 и 5BW (18054)
348 ГРН
Ремкомплект микросхема TH8056 KDC-A и два транзисторы W17 и 5BW. Используется для ремонта приборной панели Chevrolet Ma
Ивано-Франковск
Транзистор 3Н0404 Citroen Elysee Peugeot 301 Power Tube Field Effect (18026)
59 ГРН
Транзистор 3Н0404 Citroen Elysee Peugeot 301 Power Tube Field Effect.
Ивано-Франковск
Биполярный транзистор n-p-n BU508 700V 8A TO-247 (14572)
31 ГРН
Биполярный транзистор n-p-n BU508 700V 8A.
Ивано-Франковск
Транзистор полевой FQPF10N60C MOSFET 10А 600V (11396)
20 ГРН
Транзистор полевой FQPF10N60C MOSFET 10А 600V. Технические характеристики MOSFET силовой транзистор - [TO-220] Тип: N U
Ивано-Франковск
Оригінальний Транзистор 11N90e To-247 N-канальний Mosfet FMH11N90E для оригіналь
75 ГРН
Транзистор 11N90e To-247 N-канальний Mosfet оригінал б/в
Транзистори заводські, гарної якості, але не нові – випаяні. На
Кропивницкий
Транзистор 60T65PES Magnachip IGBT 650V / 50A для інвертора
100 ГРН
Транзистор 60T65PES Magnachip IGBT 650V / 50A для інвертора
650V /50A Trench Field Stop IGBT
Максимальний робочий струм
Кропивницкий
Транзистор TGAN60N60F2DS TGAN60N60F2 TO-3PN силовий для інверторів перетворювачі
110 ГРН
Транзистор оригінальний TGAN60N60F2DS. TGAN 60N60F2DS, TGAN60N60F2
Технічні параметри:
напруга колектор емітер (U
Кропивницкий
Транзистор FGH30S130P індукційної плити для варильної панелі (TO-247)
85 ГРН
Транзистор індукційної плити FGH30S130P з ізольованим IGBT затвором
Максимальний робочий струм 60a за t 20ºC
Номінальни
Кропивницкий