Комплектующие, аксессуары Мариуполь – транзисторы

317
Сохранить и получать новые объявления поиска
Польовий транзистор p-канального IRLML6402. Николаев. фото 1

Польовий транзистор p-канального IRLML6402

7 ГРН
Польовий транзистор p-канального IRLML6402 IRLML6402 - P-канальний МОП-транзистор. Транзистор виготовлений з використан
Николаев
IRF9540N IRF9540NPBF транзистор польовий MOSFET TO-220. Кропивницкий. фото 1

IRF9540N IRF9540NPBF транзистор польовий MOSFET TO-220

35 ГРН
IRF9540N (IRF9540NPBF) транзистор польовий MOSFET TO-220 Тип транзизора: MOSFET Полярність: P Гранично допустима напруга
Кропивницкий
Транзистор N-Mosfet 75В 130А IRF1407PBF TO-220. Кропивницкий. фото 1

Транзистор N-Mosfet 75В 130А IRF1407PBF TO-220

60 ГРН
Новий. Транзистор N-Mosfet 75В 130А IRF1407PBF TO-220 Виробник International Rectifier (IR) Корпус TO220 Структура N Схе
Кропивницкий
Транзистор IGBT H30PR5 (IHW30N135R5, IHW30N135R5XKSA1 Infineon). Кропивницкий. фото 1

Транзистор IGBT H30PR5 (IHW30N135R5, IHW30N135R5XKSA1 Infineon)

200 ГРН
Найменування: IHW30N135R5 Маркування: H30PR5 Тип керівного каналу: N-Channel Максимальна розсіювана потужність (Pc): 288
Кропивницкий
Транзистор PW20N60S5 20N60S5 MOSFET 600V 20A TO-247. Кропивницкий. фото 1

Транзистор PW20N60S5 20N60S5 MOSFET 600V 20A TO-247

100 ГРН
Маркування: 20N60S5 Тип транзизора: MOSFET Полярність: N Максимальна розсіювана потужність (Pd): 208 W Гранично допустим
Кропивницкий
Транзистор N-Mosfet 600В 7А SVF7N60F TO-220F. Кропивницкий. фото 1

Транзистор N-Mosfet 600В 7А SVF7N60F TO-220F

30 ГРН
Новий. Транзистор N-Mosfet 600В 7А SVF7N60F TO-220F Технічні параметри: Корпус - TO-220F Структура — n-канал + діод Макс
Кропивницкий
Транзистор полевой IRFP2907 IRFP150NPBF TO-247. Кропивницкий. фото 1

Транзистор полевой IRFP2907 IRFP150NPBF TO-247

70 ГРН
Uds,V: 100 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110 Монтаж: THT Datasheet (PDF) https://html.al
Кропивницкий
Биполярный транзистор PNP BD140 TO-126 (10226). Ивано-Франковск. фото 1

Биполярный транзистор PNP BD140 TO-126 (10226)

2 ГРН
Биполярный транзистор PNP BD140. Технические характеристики Тип: BD140 Структура: P-N-P Uкэ(max): 80V Uбэ(max): 80V Iк(
Ивано-Франковск
Транзистор системы зажигания 90N04 под BMW (16756). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор системы зажигания 90N04 под BMW (16756)

31 ГРН
Транзистор системы зажигания 90N04 под BMW. Транзистор 90N04, используется для ремонта и восстановления поврежденных э
Ивано-Франковск
Транзистор NCE70T540K 700V 8A TO-252MOS (18874). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор NCE70T540K 700V 8A TO-252MOS (18874)

21 ГРН
Транзистор NCE70T540K 700V 8A TO-252MOS.
Ивано-Франковск
Транзистор Дарлингтона чип ULN2803AG SOP18 (11581). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор Дарлингтона чип ULN2803AG SOP18 (11581)

18 ГРН
ULN2803AG - 8-канальный массив транзисторных ключей по схеме Дарлингтона. Микросхема ULN2803A согласована по входным ур
Ивано-Франковск
Транзистор TIP122 TO220 (11433). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор TIP122 TO220 (11433)

10 ГРН
TIP122, Транзистор, [TO-220]. Технические характеристики Структура: npn с darl Макс. напр. к-б при заданном обратном то
Ивано-Франковск
Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор S9012 К-92 PNP 5шт (11682)

6 ГРН
Транзистор S9012 К-92 PNP. Технические характеристики Наименование производителя: S9012 Тип материала: Si Полярность: P
Ивано-Франковск

					Транзистор BU808DFI, 700V, 8A, TO-3PF. Одесса. фото 1

Транзистор BU808DFI, 700V, 8A, TO-3PF

108 ГРН
Транзистор BU808DFI представляет собой мощный полупроводниковый прибор, используемый в различных электронных устройств
Одесса

					Транзистор BU2508AX, PJm1335D1, 1500V, 15А, TO-3PF. Одесса. фото 1

Транзистор BU2508AX, PJm1335D1, 1500V, 15А, TO-3PF

108 ГРН
Мощный транзистор MOSFET N-CHANNELНапряжение DS 68 VСопротивление DS – 6 mΩТок D-88 AТип корпуса TO-220
Одесса

					Транзистор RU6888R, 68V, 88A, TO-220. Одесса. фото 1

Транзистор RU6888R, 68V, 88A, TO-220

108 ГРН
Транзистор RU6888R, N-канальный полевой транзистор с изолированным затвором (IGBT), 68 В, 88 А, корпус TO-220Характери
Одесса

					Транзистор J13009 (аналог MJE13009), 400V, 12A, TO-220. Одесса. фото 1

Транзистор J13009 (аналог MJE13009), 400V, 12A, TO-220

108 ГРН
J13009 (аналог MJE13009) - мощный высоковольтный быстро переключающийся биполярный NPN транзистор в корпусе TO-220.Хар
Одесса

					Транзистор SPW35N60CFD, 600V, 34A, TO-247. Одесса. фото 1

Транзистор SPW35N60CFD, 600V, 34A, TO-247

130 ГРН
Характеристики:• Наименование прибора: SPW35N60CFD• Тип транзистора: MOSFET• Полярность: N• Максимальная рассеиваемая
Одесса

					Транзистор 24N60=24N60CFD, 600V, 24A, TO-247. Одесса. фото 1

Транзистор 24N60=24N60CFD, 600V, 24A, TO-247

140 ГРН
Характеристики:• Тип: N-канальный MOSFET• Напряжение отсечки: 600 В• Ток стока: 24 А• Напряжение затвора-исток: 20 В•
Одесса

					Транзистор GP47S60X, FA573681.51, 600V, 47A, TO-247. Одесса. фото 1

Транзистор GP47S60X, FA573681.51, 600V, 47A, TO-247

170 ГРН
Характеристики:• Тип: MOSFET полевой транзистор• Идентификатор: GP47S60X, FA573681.51• Напряжение сток-исток (сток-зат
Одесса