Силовой GaN транзистор SMD INN100W032A Галлий нитрит (20786)
288 ГРН
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе WLCSP с размер
Ивано-Франковск
Транзистор FGH40N60SFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247 (17065)
64 ГРН
Транзистор FGH40N60SFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247. Тип транзистора:IGBT Напряжение коллектор-эмиттер:600В Ток коллект
Ивано-Франковск
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD (11740)
11 ГРН
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD. Технические характеристики Низкий коллектор-эмиттер напряжение насыщения Быстра
Ивано-Франковск
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)
9 ГРН
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал. Технические характеристики Наименование прибора: RU6888R Т
Ивано-Франковск
Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал (18078)
10 ГРН
Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал. Технические характеристики Наименование: TK80E08K3
Ивано-Франковск
Транзистор AOD442 D442 60V 37A MOSFET N-Ch TO-252 (17430)
25 ГРН
Транзистор AOD442 D442 60V 37A MOSFET N-Ch TO-252.
Ивано-Франковск
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А (11426)
10 ГРН
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А. Технические характеристики Структура: n-p-n Максимально допустимое напряжение
Ивано-Франковск
Биполярный NPN транзистор TIP120 60V 5A TO-220 (12518)
15 ГРН
Биполярный NPN транзистор TIP120 60V 5A TO-220. Технические характеристики Структура: npn с darl Макс. напр. к-б при за
Ивано-Франковск
Ремкомплект микросхема TH8056 KDC-A и два транзисторы W17 и 5BW (18054)
348 ГРН
Ремкомплект микросхема TH8056 KDC-A и два транзисторы W17 и 5BW. Используется для ремонта приборной панели Chevrolet Ma
Ивано-Франковск
Транзистор 3Н0404 Citroen Elysee Peugeot 301 Power Tube Field Effect (18026)
59 ГРН
Транзистор 3Н0404 Citroen Elysee Peugeot 301 Power Tube Field Effect.
Ивано-Франковск
Биполярный транзистор n-p-n BU508 700V 8A TO-247 (14572)
31 ГРН
Биполярный транзистор n-p-n BU508 700V 8A.
Ивано-Франковск
Транзистор полевой FQPF10N60C MOSFET 10А 600V (11396)
20 ГРН
Транзистор полевой FQPF10N60C MOSFET 10А 600V. Технические характеристики MOSFET силовой транзистор - [TO-220] Тип: N U
Ивано-Франковск
Оригінальний Транзистор 11N90e To-247 N-канальний Mosfet FMH11N90E для оригіналь
75 ГРН
Транзистор 11N90e To-247 N-канальний Mosfet оригінал б/в
Транзистори заводські, гарної якості, але не нові – випаяні. На
Кропивницкий
Транзистор 60T65PES Magnachip IGBT 650V / 50A для інвертора
100 ГРН
Транзистор 60T65PES Magnachip IGBT 650V / 50A для інвертора
650V /50A Trench Field Stop IGBT
Максимальний робочий струм
Кропивницкий
Транзистор TGAN60N60F2DS TGAN60N60F2 TO-3PN силовий для інверторів перетворювачі
110 ГРН
Транзистор оригінальний TGAN60N60F2DS. TGAN 60N60F2DS, TGAN60N60F2
Технічні параметри:
напруга колектор емітер (U
Кропивницкий
Транзистор FGH30S130P індукційної плити для варильної панелі (TO-247)
85 ГРН
Транзистор індукційної плити FGH30S130P з ізольованим IGBT затвором
Максимальний робочий струм 60a за t 20ºC
Номінальни
Кропивницкий
Польовий транзистор IRF530N MOSFET N-Ch 20 V 17A TO220AB
37 ГРН
Транзистор IRF630N MOSFET польовий N-канальний 20V 17A корпус TO-220AB
Максимальна розсіювана потужність (Pd): 70 W
Гр
Кропивницкий
Польовий транзистор IRF630N MOSFET N-Ch 200 V 9A TO220AB
37 ГРН
Транзистор IRF630N MOSFET польовий N-канальний 250V 14A корпус TO-220AB
Тип транзистори: N-канальний;
Максимальний струм
Кропивницкий
H20R1203 IHW20N120R3 PG-TO247-3 Транзистор IGBT 1200V 20A
70 ГРН
H20R1203 (IHW20N120R3) характеристики:
Призначення: для індукційних плит
H20R1203: транзистор IGBТ
Корпус: TO-247
Ви
Кропивницкий
Транзистор G60T60AK3HD CRG60T60AK3HD (заміна для G60T60A3H G60T60AK3SD , CRG60T6
105 ГРН
Транзистор G60T60AK3HD CRG60T60AK3HD (заміна для G60T60A3H G60T60AK3SD, CRG60T60AK3SD)
Технічні параметри:
Транзистор ор
Кропивницкий
IGBT-транзистор 40T120FES (MBQ40T120FES) (Заміна для 40T120FDS, MBQ40T120FDS, 40
100 ГРН
IGBT-транзистор 40T120FES (MBQ40T120FES) (Заміна для 40T120FDS, MBQ40T120FDS, 40T120FDHA, MBQ40T120FDHA,
IGBT-транзисто
Кропивницкий
Транзистор HY4008 N-Ch 80V 200A MOSFET TO-247
65 ГРН
Транзистор HY4008 N-Ch 80V 200A MOSFET TO-247
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна потужність, що розсіюєт
Кропивницкий