Транзистор FQP8N60C 8N60C 8N60 MOSFET N-ch 600V 7.5A TO220 (18280)
22 ГРН
Транзистор FQP8N60C 8N60C 8N60 MOSFET N-ch 600V 7.5A TO220.
Ивано-Франковск
Транзистор FQPF6N60C 6N60 MOSFET 600V 5.5A N-Ch TO-220F (18273)
17 ГРН
Транзистор FQPF6N60C 6N60 MOSFET 600V 5.5A N-Ch TO-220F.
Ивано-Франковск
Ивано-Франковск
Транзистор FDA59N30 MOSFET N-CH 300V 59A TO-3PN (18261)
74 ГРН
Транзистор FDA59N30 MOSFET N-CH 300V 59A TO-3PN.
Ивано-Франковск
Транзистор NCE3010 3010S 30V 10A SMD N-Channel МОП-транзистор SOP-8 (14259)
12 ГРН
Транзистор NCE3010 3010S 30V 10A SMD N-Channel МОП-транзистор SOP-8. Технические характеристики VDS = 30V ID = 1OA с RD
Ивано-Франковск
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)
6 ГРН
Транзистор полевой P-канальный MOSFET. Технические характеристики Силовой транзистор: Р-канальный Структура транзистора
Ивано-Франковск
Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал (18072)
12 ГРН
Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал.
Технические характеристики Наименование: HY1707P Т
Ивано-Франковск
Транзистор IRFZ44N полевой N-канал 55V 49A TO-220AB (18282)
19 ГРН
Транзистор IRFZ44N полевой N-канал 55V 49A TO-220AB.
Ивано-Франковск
Транзистор STP75NF75 MOSFET N-Channel 75V 75A TO220FP (17067)
21 ГРН
Транзистор STP75NF75 MOSFET N-Channel 75V 75A TO220FP. Транзисторы выпаяны, с восстановленными ножками.
Тип транзистор
Ивано-Франковск
Биполярный транзистор TIP127 PNP 5A 100V 65W (15434)
11 ГРН
Биполярный транзистор TIP127 PNP 5A 100V 65W.
Ивано-Франковск
Транзистор STMicroelectronics 65NF06 STP65NF06 P65NF06 N-CH 60V 60A TO-220 (1828
20 ГРН
Транзистор STMicroelectronics 65NF06 STP65NF06 P65NF06 N-CH 60V 60A TO-220.
Ивано-Франковск
Полевой транзистор Mosfet ME15N10-G TO252 100V 14A (11539)
11 ГРН
Полевой транзистор Mosfet ME15N10-G TO252 100V 14A. Технические характеристики Модель: ME15N10-G Напряжение: 100V Ток:
Ивано-Франковск
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)
10 ГРН
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92. Технические характеристики Наименование производителя: A1015 Тип материала: Si
Ивано-Франковск
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)
18 ГРН
IRF3710 MOSFET - предназначен для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничител
Ивано-Франковск
Транзистор 2Т834 2Т827 2Т825 2Т812 2Т809 2Т808 2Т805 2Т803
55 ГРН
Продам транзисторы
2Т834А
КТ827А 180/200грн
2Т827А 220/250грн
2Т825А* 300грн/320грн
2Т812А
2Т809А* 45грн
2Т808А*
Харьков
Транзистор STW43NM60ND (43NM60ND), 600V, 45A, TO-247
141 ГРН
Характеристики:
• Наименование прибора: STW43NM60ND
• Тип транзистора: MOSFET
• Полярность: N
• Максимальная рассеиваема
Днепр
Микросхема транзистор FS8205S MOSFET SOT23-6 (11397)
4 ГРН
Транзисторная сборка FS8205S (FS8205) - Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET, SOT23-6. Технические характеристи
Ивано-Франковск
Транзистор MOS NCE30H29D NCE30H29 30V 290A TO-263 (18493)
37 ГРН
Транзистор MOS NCE30H29D NCE30H29 30V 290A TO-263.
Ивано-Франковск
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A 10шт (12433)
15 ГРН
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A. Технические характеристики Наименование прибора: AO3400 Маркировка: A
Ивано-Франковск
Ивано-Франковск
Силовой GaN транзистор SMD GS61004B-MR Галлий нитрит (20780)
430 ГРН
GS61004B — это силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме улучшения. Свойства GaN обеспечивают высокий ток, высокое напр
Ивано-Франковск
Силовой GaN транзистор INN700TJ190B в корпусе TO-220 Галлий нитрид (20782)
198 ГРН
Силовой GaN транзистор INN700TJ190B в корпусе TO-220 Параметры: Усиленный транзистор - реле с нормально закрытым контакт
Ивано-Франковск