Комплектуючі, аксесуари Івано-Франківськ – транзисторы
-
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18071)
13 ГРНТранзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал. Технические характеристики Наименование: IRFS640 Т -
Транзистор NCE40H12K MOS N-ch 40V 120A SMD TO-252 (18387)
11 ГРНТранзистор NCE40H12K MOS N-ch 40V 120A SMD TO-252. -
Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252 (16816)
10 ГРНПолевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252. Infineon Technologies AG - крупнейший представитель полупровод -
Транзистор IRFR4104 IRFR4104 FR4104 MOSFET N-CH 40V 42A (15765)
10 ГРНТранзистор IRFR4104 IRFR4104 FR4104 MOSFET N-CH 40V 42A. -
-
Транзистор IRL3636 IRLR3636TRPBF LR3636 MOSFET N-CH 60V 50A (15764)
11 ГРНТранзистор IRL3636 IRLR3636TRPBF LR3636 MOSFET N-CH 60V 50A. -
Транзистор P75NF75 N-Ch TO-220 75V 100A (18877)
10 ГРНТранзистор P75NF75 N-Ch TO-220 75V 100A. -
Транзистор FQPF12N60C 12N60C 12N60 N-Ch 12A 600V TO-220F (18272)
24 ГРНТранзистор FQPF12N60C 12N60C 12N60 N-Ch 12A 600V TO-220F. -
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)
83 ГРНТранзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал. Технические характеристики Напряжение коллектор-эмиттер -
Транзистор полевой MOSFET SPW47N60C3 N-канал 600V 47A (12711)
114 ГРНТранзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 47А; 415Вт; TO247. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянн -
Транзистор биполярный Toshiba 2SA1943 PNP 230V 15A TO-264 (18298)
40 ГРНТранзистор биполярный Toshiba 2SA1943 PNP 230V 15A TO-264. -
Транзистор биполярный Toshiba TTC5200 PNP 230V 15A TO-264 (18296)
40 ГРНТранзистор биполярный Toshiba TTC5200 PNP 230V 15A TO-264. -
Транзистор N-канальный Mosfet IRFP460 500В 20А (11169)
59 ГРНТранзистор N-канальный Mosfet IRFP460 500В 20А. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На н -
Модуль МОП-транзистора заменяет реле LR7843 (17643)
44 ГРНМодуль МОП-транзистора заменяет реле LR7843. Модуль представляет собой мощный n-канальный MOSFET транзистор, с входом, -
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
39 ГРНТранзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220. IRF3205, оригинал MOSFET транзистор, N-канал 55В, 110А, TO220 -
Транзистор PNP средней мощности A940 2SA940 TO-220 (18457)
11 ГРНТранзистор PNP средней мощности A940 2SA940 TO-220. -
Транзистор IRF1404 полевой N-канальный 40V 162А TO-220 (18455)
17 ГРНТранзистор IRF1404 полевой N-канальный 40V 162А TO-220. -
Транзистор 2SC2655-Y C2665 2SC2665 NPN 50V 2A TO-92MOD (18365)
4 ГРНТранзистор 2SC2655-Y C2665 2SC2665 NPN 50V 2A TO-92MOD. -
Транзистор силовой MJE13003 SMD E13003 3DD13003 TO-252 (18355)
10 ГРНТранзистор силовой MJE13003 SMD E13003 3DD13003 TO-252. -
Транзистор STMicroelectronics STP75NF75 Taiwan N-ch 75V 80A TO-220 (18274)
55 ГРНТранзистор STMicroelectronics STP75NF75 Taiwan N-ch 75V 80A TO-220. -
Транзистор FGH60N60SFD IGBT N-ch 600V 60A TO247 б.у оригинал (18076)
108 ГРНТранзистор FGH60N60SFD IGBT N-ch 600V 60A TO247 б.у оригинал. Технические характеристики Наименование: FGH60N60SMD Ти -
Биполярный транзистор FJP13009 J13009 700V 12A TO220 (16653)
47 ГРНБиполярный транзистор FJP13009 J13009 700V 12A TO220 -
Транзистор биполярный MMBTA42 1D MPSA42 NPN 300V 0.5A SOT23 10шт (15967)
26 ГРНMMBTA42, (1D), (MPSA42), транзистор биполярный, NPN 300В 0.5А, SOT23. High voltage transistor npn silicon. Цена указана -
Транзистор N-канал BSS123 100V 170mA SOT-23 10шт (12608)
19 ГРНBSS123, Транзистор, N-канал 100В 170мА [SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Максимальное напряжение -
Транзистор биполярный Toshiba TTC5200 Japan PNP 230V 15A TO-264 (18301)
95 ГРНТранзистор биполярный Toshiba TTC5200 Japan PNP 230V 15A TO-264.