Комплектуючі, аксесуари Івано-Франківськ – транзисторы
-
Силовой GaN транзистор SMD INN150FQ032A Галлий нитрит(20785)
330 ГРНВысокоподвижный транзистор (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе FCQFN с размером корпуса 4 мм x -
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
903 ГРНТранзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый Данный вид транзистора используется в качестве выходного каскад -
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92 5шт (11427)
8 ГРНТранзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92. Технические характеристики Тип материала: Ge Полярность: PNP Максимальная мощнос -
Транзистор 2T1 S9012 0.5A/25В PNP SOT23 SMD 10шт (10906)
10 ГРНТранзистор 2T1 S9012 0.5A/25В PNP SOT23 SMD. Технические характеристики Тип материала: Si Переход: PNP Макс. рассеиваем -
-
Транзистор полевой 25N120 IGBT N 1200V 25A TO3P выпаян (19362)
36 ГРНТранзистор полевой 25N120 IGBT N 1200V 25A TO3P выпаян. -
Транзистор NCE8580 N-ch 85V 80A TO-220 выпаян (19361)
9 ГРНТранзистор NCE8580 N-ch 85V 80A TO-220 выпаян. -
Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23 10шт (12604)
11 ГРНТранзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23. Технические характеристики Структура - n-p-n Напряжение коллекто -
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
17 ГРНIRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпус -
Транзистор биполярный E13007 n-p-n 700V 8A ТО-220АВ б.у оригинал (18077)
11 ГРНТранзистор биполярный E13007 n-p-n 700V 8A ТО-220АВ б.у оригинал. Технические характеристики Наименование: CJE13007 Тип -
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал (18073)
11 ГРНТранзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал. Технические характеристики Напряжение: 75 В Ток: 8 -
Транзистор STP65NF06 STripFET 2 N-ch 60V 60A TO-220AB (17813)
8 ГРНТранзистор STP65NF06 STripFET 2 N-ch 60V 60A TO-220AB. Транзисторы с короткими ножками, списанные с производства. Провер -
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)
28 ГРНТранзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB. Тип транзистора:N-MOSFET Полярность:полевой Напряжение сток-ис -
Транзистор гироскутера STP110N8F6 110N8F6 MOSFET N-CH 80V 110A TO-220 (15402)
43 ГРНТранзистор гироскутера STP110N8F6 110N8F6 MOSFET N-CH 80V 110A TO-220. -
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
6 ГРНТранзистор IRLML2502TRPBF, N-канал 20В 4.2А logic [Micro3 / SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Макс -
Транзистор B772 2SB772 NPN триодный усилитель звука TO-126 (16868)
3 ГРНТранзистор B772 2SB772 NPN триодной усилитель звука TO-126. Характеристики транзистора Структура: p-n-p Напряжение колле -
Транзистор HY1808 HY1808P 80NF70 75V 85A (11494)
12 ГРНТранзистор HY1808 HY1808P 80NF70 75V 85A. Технические характеристики 75V/85A RDS(ON)= 8 m Ω (typ.) @ VGS=10V Avalanche -
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
17 ГРНПолевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A. В этом MOSFET-транзисторе с P-каналом 12 В используется усо -
Биполярный транзистор SS8550 Y2 SOT-23 10шт (11415)
12 ГРНТранзистор SS8550 - PNP medium power transistor 40V, 0.5A Технические характеристики I(c): 0.5A V(cbo): 40V Тип корпуса -
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
20 ГРНТранзистор IRFB4310 HY3610 HY3610P 160A 100V. Транзисторы выпаянные, перед отправкой проверяем LCR тестером на работоспо -
Транзистор IHW20N120R3 H20R1203 1200V 40A TO-247-3 (14424)
62 ГРНТранзистор IHW20N120R3 H20R1203 1200V 40A TO-247-3. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. -
Транзистор N-канал NCE7560K 75V 60A IRFR2307Z (18501)
14 ГРНТранзистор N-канал NCE7560K 75V 60A IRFR2307Z. -
Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал (18079)
21 ГРНТранзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал. Технические характеристики Тип транзистора: MO -
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)
72 ГРНТранзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем -
Транзистор IGBT RJH60F7 600V 50A 329W TO3P (12819)
59 ГРНТранзистор IGBT RJH60F7 c изолированным затвором (IGBT) мощный высоковольтный c защитным диодом. Транзисторы заводские,