Комплектуючі, аксесуари Івано-Франківськ – транзисторы
-
Транзистор NCEP15T14D (20735)
79 ГРННазвание прибора: NCEP15T14DТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность: 340 ВтПредельно допу -
Транзистор NCEP15T14 (20734)
79 ГРННаименование прибора: NCEP15T14 Тип транзизатора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 320 W Пр -
Транзистор FGA15N120 (20880)
55 ГРНЗамена XNS15N120T, IGW15T120F, BT15T120, G15N120D, H15R1202, IHW15N120R2, 15N120HKD Транзистор индукционной плиты FGA15N -
Полевой транзистор L530NS IRL530NS (18040)
59 ГРНПолевой транзистор L530NS IRL530NS. -
-
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
22 ГРНТранзистор полевой IRF530N MOSFET. Технические характеристики Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Макс -
Транзистор Дарлингтона чип ULN2803APG DIP18 (11580)
19 ГРНЧип ULN2803APG - это матрица из восьми пар NPN транзисторов Дарлингтона (драйвер Дарлингтона работает с высоким напряже -
Транзистор TIP122 TO220 (11433)
10 ГРНTIP122, Транзистор, [TO-220]. Технические характеристики Структура: npn с darl Макс. напр. к-б при заданном обратном то -
Транзистор системы зажигания 90N04 под BMW (16756)
33 ГРНТранзистор системы зажигания 90N04 под BMW. Транзистор 90N04, используется для ремонта и восстановления поврежденных э -
Транзистор NCE70T540K 700V 8A TO-252MOS (18874)
22 ГРНТранзистор NCE70T540K 700V 8A TO-252MOS. -
Полевой транзистор RU7588R to 220 Mosfet (10345)
12 ГРНПолевой транзистор RU7588R to 220 Mosfet. Регуляторы выпаяные. Технические характеристики Параметры: 75V / 80A RDS (ON) -
Транзистор Дарлингтона чип ULN2803AG SOP18 (11581)
19 ГРНULN2803AG - 8-канальный массив транзисторных ключей по схеме Дарлингтона. Микросхема ULN2803A согласована по входным ур -
Транзистор NGD8201NG 20A (19892)
44 ГРНТранзистор NGD8201NG 20A. -
Транзистор S9013 NPN TO-92 5шт (10142)
15 ГРНТранзистор S9013 NPN TO-92. Технические характеристики Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Мак -
Транзистор NPN S8050 К-92 5шт (10119)
10 ГРНТранзистор NPN S8050 К-92. Технические характеристики Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и раз -
Биполярный транзистор PNP BD140 TO-126 (10226)
3 ГРНБиполярный транзистор PNP BD140. Технические характеристики Тип: BD140 Структура: P-N-P Uкэ(max): 80V Uбэ(max): 80V Iк( -
Транзистор IRGP50B60PD IGBT 600V 75A (11495)
95 ГРНТранзистор IRGP50B60PD IGBT 600V 75A. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На ножках заме -
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
111 ГРНFGL60N100BNTD, БТИЗ транзистор, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, TO-264, 3 вывод(-ов). Транзисторы выпаяные, рабочие. Техниче -
Транзистор GT40T101 Toshiba IGBT (14656)
63 ГРНТранзистор GT40T101 Toshiba I GBT . Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На ножках замет -
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
11 ГРНБиполярный n-p-n транзистор для миниатюрных устройств C1815. Технические характеристики Структура n-p-n Максимально доп -
Транзистор SI2302 SOT23 SMD N-Channel Mosfet A2SHB 20V 2.3A 1.25W (14258)
3 ГРНТранзистор SI2302 sot23 smd N-Channel Mosfet A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт). Технические характеристики SI2302 маркировка A2 -
Силовой GaN транзистор SMD INN650D080BS Галлий нитрит (20783)
176 ГРН650-вольтовый силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме обогащения в двухплоском корпусе без выводов (DFN) размером 8 м -
Силовой GaN транзистор Галлий нитрид SMD INN100FQ016A (20864)
333 ГРНINN100FQ016A — это усиленный транзистор на основе нитрида галлия (GaN) от компании Innoscience, предназначенный для высо -
Силовой GaN транзистор SMD ISG3201 Галлий нитрит (20781)
430 ГРНISG3201 — это продукт Copak с напряжением 100В из семейства SolidGaN компании Innoscience. Он интегрирует два устройства -
Силовой GaN транзистор SMD INN150LA070A Галлий нитрит (20784)
176 ГРНGaN-on-Silicon E-mode HEMT транзистор с повышенным режимом движения электронов (HEMT) в конструкции Flip chip LGA (FCLGA