Тиристор Т161-125-4-32

Описание

Тиристор Т161-125-4-32 низкочастотный штыревого исполнения.
\nТиристоры Т161-125-4-32 предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок частотой до 500 Гц, а также в полупроводниковых преобразователях электроэнергии.
\nКонструкция тиристоров штыря в металлокерамическом корпусе с гибким выводом и прижимными контактами.
\nКлиматическое исполнение и категория размещения УХЛ2 и Т2 для эксплуатации в атмосфере типа I и II по ГОСТ 15150-69.
\nМаксимально допустимый средний прямой ток в открытом состоянии – 125 А
\nПовторяемое импульсное напряжение в закрытом состоянии и повторяющееся импульсное обратное напряжение - 1800
\nОхлаждение воздушное природное или принудительное.
\nОбозначения типономинала и полярность выводов приводятся на корпусе.
\nГабаритные размеры:
\n- общая длина – 240 мм
\n- длина шпильки - 16 мм
\n- резьба – М20
\nМасса тиристора в пределах 270 г.
\nРекомендуемые охладители: О171, О371, ОМ101.
\nТехнические условия: ТУ16-2006 ИЕАЛ.432000.053 ТУ.
\n
\nСтруктура условного обозначения:
\nТ161-125-4
\nТ – тиристор;
\n1 – порядковый номер модификации конструкции;
\n6 – обозначение диаметра корпуса по ГОСТ 20859.1-89;
\n1 – обозначение конструктивного выполнения корпуса по ГОСТ 20859.1-89;
\n125 – максимально допустимый средний ток в открытом состоянии, А;
\n18 – класс по повторяющемуся напряжению.
\nЦоколевка (полярность): тиристор Т161-125 – прямой полярности: основание тиристора – анод, гибкий вывод – катод. Для отвода тепла тиристоры собирают с охладителями при помощи резьбового соединения. Чтобы обеспечить надежный тепловой и электрический контакт с охладителем, при сборке необходимо соблюдать усилие зажатия – закручивающий момент Md должен быть 20-30 Нм. Также для лучшего отвода тепла при сборке может использоваться теплопроводящая паста КПТ-8. Тиристоры изготавливаются для эксплуатации в умеренном, холодном (УХЛ) или тропическом (Т) климате; категория размещения – 2. Применяются в схемах питания электротехнических установок и в полупроводниковых преобразователях электроэнергии.