17 ГРН
Основная информация
Категория:
Запасные части, узлы в сборе
Состояние
Новое
Назначение:
Для плат
Тип:
Макетные плати и компоненты
Код/Артикул:
11127
Код товара:
745838969
Описание
IRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпусе TO220AB, и крепится на теплоотвод. Полупроводниковый прибор изготовлен на основе кремния, между истоком и стоком встроен защитный диод. Устройство имеет низкое тепловое сопротивление, и обладает быстрым переключением. Среди основных характеристик: низкий уровень рассеянной мощности 150W, напряжение пробоя сток-исток 200V, постоянный ток стока 18A. Повышенная прочность конструкции, и надежность способствуют применению полевого транзистора в различных приложениях. Особенности Высокоскоростное переключение Минимальная рассеиваемая мощность Малый заряд затворa Внутри полевого транзистора размещен защитный диод Корпус TO- 220 AB Технические характеристики Полярность транзистора - N-Channel Напряжение пробоя сток-исток - 200V Напряжение пробоя затвор-исток - +/- 20V Непрерывный ток стока - 18A Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. - 150mOhm Конфигурация - Single Максимальная рабочая температура - + 175°C Вид монтажа - сквозное отверстие Корпус - TO-220AB Время спада - .5ns Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) - 6.8S Заряд затвора, Qg - 44.7nC Минимальная рабочая температура - — 55°C Рассеяние мощности - 150W Время нарастания - 19ns Типичное время задержки выключения - 23ns RoHS - Совместимое Документация - IRF640N
Смотрите также
Микросхема EEPROM Atmel AT24C08N 24C08 DIP8 (11101)
Микросхема памяти W25Q64FVSIG W25Q64 64M Spi Flash (11093)
Переключатель DIP DS-03 Arduino (11653)
Контроллер заряда разряда 2-х Li-Ion 18650 8.4V 7A (11398)
