Цена
Валюта
Набор транзисторов IRF4905, 10 шт, P-канальный MOSFET 74А 55В, корпус TO-220AB д. Днепр. фото 1

Набор транзисторов IRF4905, 10 шт, P-канальный MOSFET 74А 55В, корпус TO-220AB д

300 ГРН
Набор из 10 полевых транзисторов IRF4905 — это надёжное решение для создания и ремонта мощных низковольтных элект
Днепр
Чип AO3400 100ШТ AO3400A A09T SOT-23, Транзистор MOSFET N-канальный. Киев. фото 1

Чип AO3400 100ШТ AO3400A A09T SOT-23, Транзистор MOSFET N-канальный

150 ГРН
Лот из 100 штук!N-канальный транзистор AO3400/AO3400A в корпусе SOT-23 для усилителей, генераторов сигналов, модуляторов
Киев
Чип 8205A 10ШТ 8205 TSSOP-6, Двойной транзистор MOSFET N-канальный. Киев. фото 1

Чип 8205A 10ШТ 8205 TSSOP-6, Двойной транзистор MOSFET N-канальный

35 ГРН
Лот из 10 штук!Микросхема FS8205/FS8205A (8205L) из двух MOSFET транзисторов N-типа в корпусе TSSOP-6.Часто применяется
Киев
Чип AO3401 100ШТ A19T SOT-23, Транзистор MOSFET P-канальный. Киев. фото 1

Чип AO3401 100ШТ A19T SOT-23, Транзистор MOSFET P-канальный

75 ГРН
Лот из 100 штук!P-канальный MOSFET транзистор A19T в корпусе SOT-23 для использования в переключающихся устройствах и ре
Киев
Транзистор HY4008 N-Ch 80V 200A MOSFET TO-247. Кропивницкий. фото 1

Транзистор HY4008 N-Ch 80V 200A MOSFET TO-247

65 ГРН
Транзистор HY4008 N-Ch 80V 200A MOSFET TO-247 Тип транзизора: MOSFET Полярність: N Максимальна потужність, що розсіюєт
Кропивницкий
Модуль тригерного драйвера MOS 10A, 600 Вт, ШІМ, електронний ключ, MOSFET. Кропивницкий. фото 1

Модуль тригерного драйвера MOS 10A, 600 Вт, ШІМ, електронний ключ, MOSFET

100 ГРН
Модуль тригерного драйвера MOS 10A, 600 Вт, ШІМ, електронний ключ, MOSFET Опис Діапазон напруги запуску низького рівня
Кропивницкий
Mosfet MOS обтопара ізоляція модуль драйвера польовий транзисстор тригерний пере. Кропивницкий. фото 1

Mosfet MOS обтопара ізоляція модуль драйвера польовий транзисстор тригерний пере

60 ГРН
Mosfet MOS обтопара ізоляція модуль драйвера польовий транзисстор тригерний перемикач PWM плата керування Основні харак
Кропивницкий
Mosfet MOS оптопара, ізоляція модуль драйвера польового транзизора, сухий контак. Кропивницкий. фото 1

Mosfet MOS оптопара, ізоляція модуль драйвера польового транзизора, сухий контак

85 ГРН
Цей модуль використовує потужний MOSFET як перемикальний пристрій, з високим струмом і низьким опором у відкритому стан
Кропивницкий
MosFet транзистор - D5nm5  N-channel Mosfet 500v 7,5a, D5nm5 D-pak STD5NM50T4 ST. Кропивницкий. фото 1

MosFet транзистор - D5nm5 N-channel Mosfet 500v 7,5a, D5nm5 D-pak STD5NM50T4 ST

80 ГРН
MosFet транзистор - D5nm5 N-channel Mosfet 500v 7,5a, D5nm5 D-pak STD5NM50T4 STD5NM50 D5NM50 TO252
Кропивницкий
Мікросхема BTS6143D (6143D), MOSFET транзистор N канал BTS6143D 33В 8А, TO252-5. Кропивницкий. фото 1

Мікросхема BTS6143D (6143D), MOSFET транзистор N канал BTS6143D 33В 8А, TO252-5

110 ГРН
Маркировка: 6143D Корпус: TO-252-5 ((PG-TO252-5-11),(D-pak-5)) Smart High-Side Power Switch Технические параметры: Ра
Кропивницкий
Транзистор IRFB4110 Оригінал! 130A/180A, 100V, MOSFET (заміна IRFB4110G, IRFB411. Кропивницкий. фото 1

Транзистор IRFB4110 Оригінал! 130A/180A, 100V, MOSFET (заміна IRFB4110G, IRFB411

60 ГРН
IRFB4110 - потужний польовий N-канальний транзистор у корпусі TO-220. Заміна для IRFB4110G, IRFB4110P, SRT10N047H Х
Кропивницкий
Оригінальний Транзистор 11N90e To-247 N-канальний Mosfet FMH11N90E для оригіналь. Кропивницкий. фото 1

Оригінальний Транзистор 11N90e To-247 N-канальний Mosfet FMH11N90E для оригіналь

75 ГРН
Транзистор 11N90e To-247 N-канальний Mosfet оригінал б/в Транзистори заводські, гарної якості, але не нові – випаяні. На
Кропивницкий
Транзистор польовий BS170 TO92 N-MOSFET 60В; 500мА; 83Вт; TO92. Кропивницкий. фото 1

Транзистор польовий BS170 TO92 N-MOSFET 60В; 500мА; 83Вт; TO92

4 ГРН
Транзистор польовий BS170 TO92 N-MOSFET 60В; 500мА; 83Вт; TO92 Польовий транзистор BS170 у корпусі TO-92 — це N-канальн
Кропивницкий
Польовий транзистор IRF530N MOSFET N-Ch 20 V 17A TO220AB. Кропивницкий. фото 1

Польовий транзистор IRF530N MOSFET N-Ch 20 V 17A TO220AB

37 ГРН
Транзистор IRF630N MOSFET польовий N-канальний 20V 17A корпус TO-220AB Максимальна розсіювана потужність (Pd): 70 W Гр
Кропивницкий
Польовий транзистор IRF630N MOSFET N-Ch 200 V 9A TO220AB. Кропивницкий. фото 1

Польовий транзистор IRF630N MOSFET N-Ch 200 V 9A TO220AB

37 ГРН
Транзистор IRF630N MOSFET польовий N-канальний 250V 14A корпус TO-220AB Тип транзистори: N-канальний; Максимальний струм
Кропивницкий
Микросхема транзистор FS8205S MOSFET SOT23-6 (11397). Ивано-Франковск. фото 1

Микросхема транзистор FS8205S MOSFET SOT23-6 (11397)

4 ГРН
Транзисторная сборка FS8205S (FS8205) - Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET, SOT23-6. Технические характеристи
Ивано-Франковск
Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал (18078). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал (18078)

10 ГРН
Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал. Технические характеристики Наименование: TK80E08K3
Ивано-Франковск
Транзистор AOD442 D442 60V 37A MOSFET N-Ch TO-252 (17430). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор AOD442 D442 60V 37A MOSFET N-Ch TO-252 (17430)

25 ГРН
Транзистор AOD442 D442 60V 37A MOSFET N-Ch TO-252.
Ивано-Франковск
Транзистор полевой FQPF10N60C MOSFET 10А 600V (11396). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор полевой FQPF10N60C MOSFET 10А 600V (11396)

20 ГРН
Транзистор полевой FQPF10N60C MOSFET 10А 600V. Технические характеристики MOSFET силовой транзистор - [TO-220] Тип: N U
Ивано-Франковск
Транзистор полевой 2SK2837 K2837 N-ch MOSFET 500V 20A TO-3 б.у оригинал (18070). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор полевой 2SK2837 K2837 N-ch MOSFET 500V 20A TO-3 б.у оригинал (18070)

45 ГРН
Транзистор полевой 2SK2837 K2837 N-ch MOSFET 500V 20A TO-3 б.у оригинал. Технические характеристики Наименование приб
Ивано-Франковск
Полевой транзистор IRF640N 10 шт, N-канальный, TO-220AB в корпусе TO-220AB. Днепр. фото 1

Полевой транзистор IRF640N 10 шт, N-канальный, TO-220AB в корпусе TO-220AB

300 ГРН
Полевой транзистор IRF640N в корпусе TO-220AB предназначен для работы в высокочастотных импульсных источниках питания, п
Днепр