Комплектующие, аксессуары Сумы – транзисторы

360
Сохранить и получать новые объявления поиска
Силовой GaN транзистор Галлий нитрид SMD INN100FQ016A (20864). Ивано-Франковск. фото 1

Силовой GaN транзистор Галлий нитрид SMD INN100FQ016A (20864)

333 ГРН
INN100FQ016A — это усиленный транзистор на основе нитрида галлия (GaN) от компании Innoscience, предназначенный для высо
Ивано-Франковск
Силовой GaN транзистор SMD ISG3201 Галлий нитрит (20781). Ивано-Франковск. фото 1

Силовой GaN транзистор SMD ISG3201 Галлий нитрит (20781)

430 ГРН
ISG3201 — это продукт Copak с напряжением 100В из семейства SolidGaN компании Innoscience. Он интегрирует два устройства
Ивано-Франковск
Силовой GaN транзистор SMD INN150LA070A Галлий нитрит (20784). Ивано-Франковск. фото 1

Силовой GaN транзистор SMD INN150LA070A Галлий нитрит (20784)

176 ГРН
GaN-on-Silicon E-mode HEMT транзистор с повышенным режимом движения электронов (HEMT) в конструкции Flip chip LGA (FCLGA
Ивано-Франковск
Силовой GaN транзистор SMD INN150FQ032A Галлий нитрит(20785). Ивано-Франковск. фото 1

Силовой GaN транзистор SMD INN150FQ032A Галлий нитрит(20785)

330 ГРН
Высокоподвижный транзистор (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе FCQFN с размером корпуса 4 мм x
Ивано-Франковск
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)

903 ГРН
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый Данный вид транзистора используется в качестве выходного каскад
Ивано-Франковск
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92 5шт (11427). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92 5шт (11427)

8 ГРН
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92. Технические характеристики Тип материала: Ge Полярность: PNP Максимальная мощнос
Ивано-Франковск
Транзистор 2T1 S9012 0.5A/25В PNP SOT23 SMD 10шт (10906). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор 2T1 S9012 0.5A/25В PNP SOT23 SMD 10шт (10906)

10 ГРН
Транзистор 2T1 S9012 0.5A/25В PNP SOT23 SMD. Технические характеристики Тип материала: Si Переход: PNP Макс. рассеиваем
Ивано-Франковск
Транзистор полевой 25N120 IGBT N 1200V 25A TO3P выпаян (19362). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор полевой 25N120 IGBT N 1200V 25A TO3P выпаян (19362)

36 ГРН
Транзистор полевой 25N120 IGBT N 1200V 25A TO3P выпаян.
Ивано-Франковск
Транзистор NCE8580 N-ch 85V 80A TO-220 выпаян (19361). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор NCE8580 N-ch 85V 80A TO-220 выпаян (19361)

9 ГРН
Транзистор NCE8580 N-ch 85V 80A TO-220 выпаян.
Ивано-Франковск
Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23 10шт (12604). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23 10шт (12604)

11 ГРН
Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23. Технические характеристики Структура - n-p-n Напряжение коллекто
Ивано-Франковск
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127). Ивано-Франковск. фото 1

N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)

17 ГРН
IRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпус
Ивано-Франковск
Транзистор биполярный E13007 n-p-n 700V 8A ТО-220АВ б.у оригинал (18077). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор биполярный E13007 n-p-n 700V 8A ТО-220АВ б.у оригинал (18077)

11 ГРН
Транзистор биполярный E13007 n-p-n 700V 8A ТО-220АВ б.у оригинал. Технические характеристики Наименование: CJE13007 Тип
Ивано-Франковск
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал (18073). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал (18073)

11 ГРН
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал. Технические характеристики Напряжение: 75 В Ток: 8
Ивано-Франковск
Транзистор STP65NF06 STripFET 2 N-ch 60V 60A TO-220AB (17813). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор STP65NF06 STripFET 2 N-ch 60V 60A TO-220AB (17813)

8 ГРН
Транзистор STP65NF06 STripFET 2 N-ch 60V 60A TO-220AB. Транзисторы с короткими ножками, списанные с производства. Провер
Ивано-Франковск
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)

28 ГРН
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB. Тип транзистора:N-MOSFET Полярность:полевой Напряжение сток-ис
Ивано-Франковск
Транзистор гироскутера STP110N8F6 110N8F6 MOSFET N-CH 80V 110A TO-220 (15402). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор гироскутера STP110N8F6 110N8F6 MOSFET N-CH 80V 110A TO-220 (15402)

43 ГРН
Транзистор гироскутера STP110N8F6 110N8F6 MOSFET N-CH 80V 110A TO-220.
Ивано-Франковск
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)

6 ГРН
Транзистор IRLML2502TRPBF, N-канал 20В 4.2А logic [Micro3 / SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Макс
Ивано-Франковск
Транзистор B772 2SB772 NPN триодный усилитель звука TO-126 (16868). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор B772 2SB772 NPN триодный усилитель звука TO-126 (16868)

3 ГРН
Транзистор B772 2SB772 NPN триодной усилитель звука TO-126. Характеристики транзистора Структура: p-n-p Напряжение колле
Ивано-Франковск
Транзистор HY1808 HY1808P 80NF70 75V 85A (11494). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор HY1808 HY1808P 80NF70 75V 85A (11494)

12 ГРН
Транзистор HY1808 HY1808P 80NF70 75V 85A. Технические характеристики 75V/85A RDS(ON)= 8 m Ω (typ.) @ VGS=10V Avalanche
Ивано-Франковск
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658). Ивано-Франковск. фото 1

Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)

17 ГРН
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A. В этом MOSFET-транзисторе с P-каналом 12 В используется усо
Ивано-Франковск
Биполярный транзистор SS8550 Y2 SOT-23 10шт (11415). Ивано-Франковск. фото 1

Биполярный транзистор SS8550 Y2 SOT-23 10шт (11415)

12 ГРН
Транзистор SS8550 - PNP medium power transistor 40V, 0.5A Технические характеристики I(c): 0.5A V(cbo): 40V Тип корпуса
Ивано-Франковск
Транзистор GP35B60PD Оригінал! 40A, 600V, IGBT TO-247 демонтаж. Кропивницкий. фото 1

Транзистор GP35B60PD Оригінал! 40A, 600V, IGBT TO-247 демонтаж

85 ГРН
Транзистор GP35B60PD Оригінал! 40A, 600V, IGBT TO-247 демонтаж Транзистори заводські, гарної якості, але не нові випая
Кропивницкий