TIP147T — біполярний PNP транзистор 100 В 10 А
13 ГРН
TIP147T — біполярний PNP транзистор 100 В 10 А
TIP147T — потужний, складка Дарлінгтона на біполярних PNP транзисторів у
Кропивницкий
Транзистор NCEP15T14 150V 140A Оригінальний транзистор Польовий транзистор Транз
75 ГРН
Транзистор NCEP15T14 150V 140A Оригінальний транзистор Польовий транзистор Транзистор Mosfet
Транзистор NCEP15T14 - це п
Кропивницкий
IRF1310N, Транзистор, N-канал 100В 42А TO-220AB
40 ГРН
МОП-транзистор MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
Структура
n-канал
Максимальна напруга стік-висток Uсі, В
100
Максималь
Кропивницкий
Транзистор IGBT G30N60A4 G30N60A4 600V 75A TO-247
90 ГРН
Транзистор IGBT G30N60A4 G30N60A4 600V 75A TO-247
Тип транзизатора: IGBT
Маркування: G30N60A4
Тип керівного каналу: N-C
Кропивницкий
Транзистор 2SC2240 120v/0.1 A NPN TO-92
5 ГРН
Біполярний NPN транзистор 2SC2240 120v/0.1 A TO-92
Технічні характеристики
Корпус: TO-92
fT: 100 MHz
Uceo,V: 120
Ucbo,
Кропивницкий
Транзистор 2SA970 A970 2SA970GR TO-92
4 ГРН
Тип транзизора
PNP
Напруга колектор база, відкритий перехід (U cb ),
120
Напруга колектор емітер,
Кропивницкий
TIP125 біполярний транзистор PNP 5A 60V
14 ГРН
Виробник ST MICROELECTRONICS
Монтаж THT Корпус TO220AB
Напруга колектор-емітер 60 В
Струм колектора 5 А
Тип транз
Кропивницкий
TIP142T — біполярний NPN транзистор 100 В 15 А
12 ГРН
TIP142T — потужна збірка Дарлінгтону на біполярних NPN транзиссторах у корпусі TO-220.
Характеристики:
Максимальний с
Кропивницкий
Тестер полупроводниковых элементов, транзисторов LCR-T4
507 ГРН
Тестер полупроводниковых элементов с ЖК-дисплеем. Автоматически определяет номера и типы выводов: n-p-n и p-n-p транзист
Бровары
Биполярный транзистор PNP BD140 TO-126 (10226)
3 ГРН
Биполярный транзистор PNP BD140. Технические характеристики Тип: BD140 Структура: P-N-P Uкэ(max): 80V Uбэ(max): 80V Iк(
Ивано-Франковск
Транзистор IRGP50B60PD IGBT 600V 75A (11495)
95 ГРН
Транзистор IRGP50B60PD IGBT 600V 75A. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На ножках заме
Ивано-Франковск
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
111 ГРН
FGL60N100BNTD, БТИЗ транзистор, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, TO-264, 3 вывод(-ов). Транзисторы выпаяные, рабочие. Техниче
Ивано-Франковск
Транзистор GT40T101 Toshiba IGBT (14656)
63 ГРН
Транзистор GT40T101 Toshiba I GBT . Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На ножках замет
Ивано-Франковск
Транзисторы МП14, МП20, МП21, МП25, МП26 , МП39, МП40, МП41, МП42, МП114 П1
30 ГРН
Транзисторы МП14, МП20, МП21, МП25, МП26 ,МП37, МП39, МП40, МП41, МП42, МП114 П14 раритет СССР.
В лоте 15 шт.
Лоты
Павлоград
Транзистори мосфети IGBT біполярні
100 ГРН
торг
Транзистори великий вибір зі складу НВП ІМС за готівковий та безготівковий (з пдв) розрахунок, наявність та ціни -
htt
Харьков
Радиодетали. Диоды. Тумблеры. Конденсаторы.
30 ГРН
Транзисторы СССР.
Разные радиодетали СССР от 8 грн. ДОГОВОРНАЯ.
Имеются следующие радиодетали :
Тумблер ТВ1-4. 1
Запорожье
Набор транзисторов, стабилитронов ТО-220 регулятор напряжения 16 шт.
125 ГРН
Универсальный набор широко используемых транзисторов, стабилитронов, регуляторов напряжения в корпусе ТО-220 имеют следу
Киев
Комплект транзисторов C5888 A2099 Транзисторная пара Epson R200 / R300
76 ГРН
Транзисторная пара C5888 и A2099 для ремонта главных плат принтеров и БФП Epson.
Очень часто сгорают после неудачной про
Киев
Комплект транзисторов A2098 C6082 Транзисторная пара Epson R270 / 1410
124 ГРН
Транзисторная пара A2098 и C6082 для ремонта главных плат принтеров и БФП Epson.
Очень часто сгорают после неудачной про
Киев
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
11 ГРН
Биполярный n-p-n транзистор для миниатюрных устройств C1815. Технические характеристики Структура n-p-n Максимально доп
Ивано-Франковск
Транзистор SI2302 SOT23 SMD N-Channel Mosfet A2SHB 20V 2.3A 1.25W (14258)
3 ГРН
Транзистор SI2302 sot23 smd N-Channel Mosfet A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт). Технические характеристики SI2302 маркировка A2
Ивано-Франковск
Силовой GaN транзистор SMD INN650D080BS Галлий нитрит (20783)
176 ГРН
650-вольтовый силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме обогащения в двухплоском корпусе без выводов (DFN) размером 8 м
Ивано-Франковск