Силовой GaN транзистор SMD GS61004B-MR Галлий нитрит (20780)
430 ГРН
GS61004B — это силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме улучшения. Свойства GaN обеспечивают высокий ток, высокое напр
Ивано-Франковск
Силовой GaN транзистор INN700TJ190B в корпусе TO-220 Галлий нитрид (20782)
198 ГРН
Силовой GaN транзистор INN700TJ190B в корпусе TO-220 Параметры: Усиленный транзистор - реле с нормально закрытым контакт
Ивано-Франковск
Силовой GaN транзистор SMD INN100W032A Галлий нитрит (20786)
288 ГРН
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе WLCSP с размер
Ивано-Франковск
Транзистор FGH40N60SFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247 (17065)
64 ГРН
Транзистор FGH40N60SFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247. Тип транзистора:IGBT Напряжение коллектор-эмиттер:600В Ток коллект
Ивано-Франковск
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD (11740)
11 ГРН
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD. Технические характеристики Низкий коллектор-эмиттер напряжение насыщения Быстра
Ивано-Франковск
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)
9 ГРН
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал. Технические характеристики Наименование прибора: RU6888R Т
Ивано-Франковск
Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал (18078)
10 ГРН
Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал. Технические характеристики Наименование: TK80E08K3
Ивано-Франковск
Транзистор AOD442 D442 60V 37A MOSFET N-Ch TO-252 (17430)
25 ГРН
Транзистор AOD442 D442 60V 37A MOSFET N-Ch TO-252.
Ивано-Франковск
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А (11426)
10 ГРН
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А. Технические характеристики Структура: n-p-n Максимально допустимое напряжение
Ивано-Франковск
Биполярный NPN транзистор TIP120 60V 5A TO-220 (12518)
15 ГРН
Биполярный NPN транзистор TIP120 60V 5A TO-220. Технические характеристики Структура: npn с darl Макс. напр. к-б при за
Ивано-Франковск
Ремкомплект микросхема TH8056 KDC-A и два транзисторы W17 и 5BW (18054)
348 ГРН
Ремкомплект микросхема TH8056 KDC-A и два транзисторы W17 и 5BW. Используется для ремонта приборной панели Chevrolet Ma
Ивано-Франковск
Транзистор 3Н0404 Citroen Elysee Peugeot 301 Power Tube Field Effect (18026)
59 ГРН
Транзистор 3Н0404 Citroen Elysee Peugeot 301 Power Tube Field Effect.
Ивано-Франковск
Биполярный транзистор n-p-n BU508 700V 8A TO-247 (14572)
31 ГРН
Биполярный транзистор n-p-n BU508 700V 8A.
Ивано-Франковск
Транзистор полевой FQPF10N60C MOSFET 10А 600V (11396)
20 ГРН
Транзистор полевой FQPF10N60C MOSFET 10А 600V. Технические характеристики MOSFET силовой транзистор - [TO-220] Тип: N U
Ивано-Франковск
Транзистор биполярный D880-Y KSD880YTU NPN 60V 3A 40W TO-220 (18458)
12 ГРН
Транзистор биполярный D880-Y KSD880YTU NPN 60V 3A 40W TO-220.
Ивано-Франковск
Транзистор IRFP260NPBF N-канал 200V 49A TO-247AC (18266)
52 ГРН
Транзистор IRFP260NPBF N-канал 200V 49A TO-247AC.
Ивано-Франковск
Ивано-Франковск
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247 (19218)
33 ГРН
Транзистор 20N60 STW20NM60 20A 600V MOSFET N-ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче,
Ивано-Франковск
Ивано-Франковск
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220 (19216)
24 ГРН
Транзистор HY3712B MOSFET N-ch 125V 170A TO220. Транзисторы оригинальные, выпаянные на производстве, ножки короче, чем
Ивано-Франковск
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A (11168)
14 ГРН
Транзистор N-канальный Mosfet IRF740 400V 10A. Технические характеристики Структура - n-канал Максимальное напряжение с
Ивано-Франковск
Транзистор IRF840 полевой N-канал 500V 8A TO-220 (18279)
19 ГРН
Транзистор IRF840 полевой N-канал 500V 8A TO-220.
Ивано-Франковск