Биполярный транзистор TIP127 PNP 5A 100V 65W (15434)
11 ГРН
Биполярный транзистор TIP127 PNP 5A 100V 65W.
Ивано-Франковск
Транзистор STMicroelectronics 65NF06 STP65NF06 P65NF06 N-CH 60V 60A TO-220 (1828
19 ГРН
Транзистор STMicroelectronics 65NF06 STP65NF06 P65NF06 N-CH 60V 60A TO-220.
Ивано-Франковск
Транзистор IHW20N120R3 H20R1203 1200V 40A TO-247-3 (14424)
58 ГРН
Транзистор IHW20N120R3 H20R1203 1200V 40A TO-247-3. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные.
Ивано-Франковск
Полевой транзистор Mosfet ME15N10-G TO252 100V 14A (11539)
10 ГРН
Полевой транзистор Mosfet ME15N10-G TO252 100V 14A. Технические характеристики Модель: ME15N10-G Напряжение: 100V Ток:
Ивано-Франковск
Транзистор MOSFET SI2301 20V 2.2A SOT23 SMD P-Channel (14910)
3 ГРН
Транзистор MOSFET SI2301 20V 2.2A SOT23 SMD P-Channel.
Ивано-Франковск
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)
9 ГРН
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92. Технические характеристики Наименование производителя: A1015 Тип материала: Si
Ивано-Франковск
Транзистор 3DD15D TO-3 200V 5A 50W (10587)
26 ГРН
Транзистор 3DD15D является кремниевым NPN транзистором. Предназначен для коммутации силовых цепей, регуляторов, выходны
Ивано-Франковск
Транзистор PNP средней мощности A940 2SA940 TO-220 (18457)
10 ГРН
Транзистор PNP средней мощности A940 2SA940 TO-220.
Ивано-Франковск
Транзистор силовой MJE13003 SMD E13003 3DD13003 TO-252 (18355)
10 ГРН
Транзистор силовой MJE13003 SMD E13003 3DD13003 TO-252.
Ивано-Франковск
Транзистор MOS N-Ch NCE0106Z NCE0106 100V 6A TO-92 (18162)
8 ГРН
Транзистор MOS N-Ch NCE0106Z NCE0106 100V 6A TO-92.
Ивано-Франковск
Транзистор NAMC NPN биполярный 400V 7A 60W TO220 (18151)
13 ГРН
Транзистор NAMC NPN биполярный 400V 7A 60W TO220.
Ивано-Франковск
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)
17 ГРН
IRF3710 MOSFET - предназначен для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничител
Ивано-Франковск
Транзистор 2T1 S9012 0.5A/25В PNP SOT23 SMD 10шт (10906)
10 ГРН
Транзистор 2T1 S9012 0.5A/25В PNP SOT23 SMD. Технические характеристики Тип материала: Si Переход: PNP Макс. рассеиваем
Ивано-Франковск
Плата комутації MOSFET транзистор нагрівання платформи MKS 3D-принтера 25A
154 ГРН
Модуль на основі MOSFET HA210NO6/HA210N06 для заміни слабких транзисторів контролерів керування 3D-принтером (MKS Gen, R
Кропивницкий
Чип BC807-40 100ШТ BC807 5C SOT-23, Транзистор биполярный PNP
60 ГРН
Лот из 100 штук!Биполярный p-n-p транзистор BC807-40 в корпусе SOT-23 для усилителей, генераторов сигналов, модуляторов
Киев
Чип NGD8201AG NGD8201 TO-252, Транзистор IGBT N-канальный 440В 20А
35 ГРН
N-канальный IGBT транзистор NGD8201AG в корпусе TO-252. Применяется в автомобильных системах зажигания. Максимальное нап
Киев
Комплект транзисторов A2098 C6082 Транзисторная пара Epson R270 / 1410
124 ГРН
Транзисторная пара A2098 и C6082 для ремонта главных плат принтеров и БФП Epson.
Очень часто сгорают после неудачной про
Киев
Транзисторы германиевые ГТ320А, ГТ320Б, ГТ308А, ГТ402Б, ГТ403Ж раритет СССР.
3 ГРН
Транзисторы германиевые ГТ320А, ГТ320Б, ГТ308А, ГТ402Б, ГТ403Ж раритет СССР.
Цена указана ориентировочно. Цену и нал
Павлоград
Модуль IGBT транзистор 1MBI200SA-120B-52 200A 1200v
1 100 ГРН
Модуль IGBT транзистор 1MBI200SA-120B-52 200A 1200v, повністю робочі, перевірені.
Красилов
Транзистор біполярний NPN J13007 MJE13007 E13007 13007 TO-220
9 ГРН
Технічні параметри:
Структура: NPN
Макс. наприклад к-б за заданого зворотного струму до та розімкнутого ланцюга е.: 700
Кропивницкий
MJE3055T Транзистор біжний NPN 60 V 10 A TO-220
18 ГРН
Біполярний NPN транзистор TIP120 60 V 5 A TO-220.
Технічні характеристики
Структура: npn з darl
Макс. наприклад к-б у ра
Кропивницкий
Чип 8205A 10ШТ 8205 TSSOP-6, Двойной транзистор MOSFET N-канальный
35 ГРН
Лот из 10 штук!Микросхема FS8205/FS8205A (8205L) из двух MOSFET транзисторов N-типа в корпусе TSSOP-6.Часто применяется
Киев