Комплектующие, аксессуары Черновцы – транзисторы

317
Сохранить и получать новые объявления поиска
Биполярный транзистор TIP127 PNP 5A 100V 65W (15434). Ивано-Франковск. фото 1

Биполярный транзистор TIP127 PNP 5A 100V 65W (15434)

11 ГРН
Биполярный транзистор TIP127 PNP 5A 100V 65W.
Ивано-Франковск
Транзистор STMicroelectronics 65NF06 STP65NF06 P65NF06 N-CH 60V 60A TO-220 (1828. Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор STMicroelectronics 65NF06 STP65NF06 P65NF06 N-CH 60V 60A TO-220 (1828

19 ГРН
Транзистор STMicroelectronics 65NF06 STP65NF06 P65NF06 N-CH 60V 60A TO-220.
Ивано-Франковск
Транзистор IHW20N120R3 H20R1203 1200V 40A TO-247-3 (14424). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор IHW20N120R3 H20R1203 1200V 40A TO-247-3 (14424)

58 ГРН
Транзистор IHW20N120R3 H20R1203 1200V 40A TO-247-3. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные.
Ивано-Франковск
Полевой транзистор Mosfet ME15N10-G TO252 100V 14A (11539). Ивано-Франковск. фото 1

Полевой транзистор Mosfet ME15N10-G TO252 100V 14A (11539)

10 ГРН
Полевой транзистор Mosfet ME15N10-G TO252 100V 14A. Технические характеристики Модель: ME15N10-G Напряжение: 100V Ток:
Ивано-Франковск
Транзистор MOSFET SI2301 20V 2.2A SOT23 SMD P-Channel (14910). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор MOSFET SI2301 20V 2.2A SOT23 SMD P-Channel (14910)

3 ГРН
Транзистор MOSFET SI2301 20V 2.2A SOT23 SMD P-Channel.
Ивано-Франковск
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684). Ивано-Франковск. фото 1

Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)

9 ГРН
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92. Технические характеристики Наименование производителя: A1015 Тип материала: Si
Ивано-Франковск
Транзистор 3DD15D TO-3 200V 5A 50W (10587). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор 3DD15D TO-3 200V 5A 50W (10587)

26 ГРН
Транзистор 3DD15D является кремниевым NPN транзистором. Предназначен для коммутации силовых цепей, регуляторов, выходны
Ивано-Франковск
Транзистор PNP средней мощности A940 2SA940 TO-220 (18457). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор PNP средней мощности A940 2SA940 TO-220 (18457)

10 ГРН
Транзистор PNP средней мощности A940 2SA940 TO-220.
Ивано-Франковск
Транзистор силовой MJE13003 SMD E13003 3DD13003 TO-252 (18355). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор силовой MJE13003 SMD E13003 3DD13003 TO-252 (18355)

10 ГРН
Транзистор силовой MJE13003 SMD E13003 3DD13003 TO-252.
Ивано-Франковск
Транзистор MOS N-Ch NCE0106Z NCE0106 100V 6A TO-92 (18162). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор MOS N-Ch NCE0106Z NCE0106 100V 6A TO-92 (18162)

8 ГРН
Транзистор MOS N-Ch NCE0106Z NCE0106 100V 6A TO-92.
Ивано-Франковск
Транзистор NAMC NPN биполярный 400V 7A 60W TO220 (18151). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор NAMC NPN биполярный 400V 7A 60W TO220 (18151)

13 ГРН
Транзистор NAMC NPN биполярный 400V 7A 60W TO220.
Ивано-Франковск
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388). Ивано-Франковск. фото 1

МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)

17 ГРН
IRF3710 MOSFET - предназначен для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничител
Ивано-Франковск
Транзистор 2T1 S9012 0.5A/25В PNP SOT23 SMD 10шт (10906). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор 2T1 S9012 0.5A/25В PNP SOT23 SMD 10шт (10906)

10 ГРН
Транзистор 2T1 S9012 0.5A/25В PNP SOT23 SMD. Технические характеристики Тип материала: Si Переход: PNP Макс. рассеиваем
Ивано-Франковск
Плата комутації MOSFET транзистор нагрівання платформи MKS 3D-принтера 25A. Кропивницкий. фото 1

Плата комутації MOSFET транзистор нагрівання платформи MKS 3D-принтера 25A

154 ГРН
Модуль на основі MOSFET HA210NO6/HA210N06 для заміни слабких транзисторів контролерів керування 3D-принтером (MKS Gen, R
Кропивницкий
Чип BC807-40 100ШТ BC807 5C SOT-23, Транзистор биполярный PNP. Киев. фото 1

Чип BC807-40 100ШТ BC807 5C SOT-23, Транзистор биполярный PNP

60 ГРН
Лот из 100 штук!Биполярный p-n-p транзистор BC807-40 в корпусе SOT-23 для усилителей, генераторов сигналов, модуляторов
Киев
Чип NGD8201AG NGD8201 TO-252, Транзистор IGBT N-канальный 440В 20А. Киев. фото 1

Чип NGD8201AG NGD8201 TO-252, Транзистор IGBT N-канальный 440В 20А

35 ГРН
N-канальный IGBT транзистор NGD8201AG в корпусе TO-252. Применяется в автомобильных системах зажигания. Максимальное нап
Киев
Комплект транзисторов A2098 C6082 Транзисторная пара Epson R270 / 1410. Киев. фото 1

Комплект транзисторов A2098 C6082 Транзисторная пара Epson R270 / 1410

124 ГРН
Транзисторная пара A2098 и C6082 для ремонта главных плат принтеров и БФП Epson. Очень часто сгорают после неудачной про
Киев
Транзисторы германиевые  ГТ320А, ГТ320Б, ГТ308А, ГТ402Б, ГТ403Ж  раритет  СССР.. Павлоград. фото 1

Транзисторы германиевые ГТ320А, ГТ320Б, ГТ308А, ГТ402Б, ГТ403Ж раритет СССР.

3 ГРН
Транзисторы германиевые ГТ320А, ГТ320Б, ГТ308А, ГТ402Б, ГТ403Ж раритет СССР. Цена указана ориентировочно. Цену и нал
Павлоград
Модуль IGBT транзистор  1MBI200SA-120B-52 200A 1200v. Красилов. фото 1

Модуль IGBT транзистор 1MBI200SA-120B-52 200A 1200v

1 100 ГРН
Модуль IGBT транзистор 1MBI200SA-120B-52 200A 1200v, повністю робочі, перевірені.
Красилов
Транзистор біполярний NPN J13007 MJE13007 E13007 13007 TO-220. Кропивницкий. фото 1

Транзистор біполярний NPN J13007 MJE13007 E13007 13007 TO-220

9 ГРН
Технічні параметри: Структура: NPN Макс. наприклад к-б за заданого зворотного струму до та розімкнутого ланцюга е.: 700
Кропивницкий
MJE3055T Транзистор біжний NPN 60 V 10 A TO-220. Кропивницкий. фото 1

MJE3055T Транзистор біжний NPN 60 V 10 A TO-220

18 ГРН
Біполярний NPN транзистор TIP120 60 V 5 A TO-220. Технічні характеристики Структура: npn з darl Макс. наприклад к-б у ра
Кропивницкий
Чип 8205A 10ШТ 8205 TSSOP-6, Двойной транзистор MOSFET N-канальный. Киев. фото 1

Чип 8205A 10ШТ 8205 TSSOP-6, Двойной транзистор MOSFET N-канальный

35 ГРН
Лот из 10 штук!Микросхема FS8205/FS8205A (8205L) из двух MOSFET транзисторов N-типа в корпусе TSSOP-6.Часто применяется
Киев