Транзисторы Днепропетровская область

Цена
Валюта
Польовий транзистор IGBT 50T65FD1 Транзистор для інвертора Транзистори для зварю. Кропивницкий. фото 1

Польовий транзистор IGBT 50T65FD1 Транзистор для інвертора Транзистори для зварю

75 ГРН
Польовий транзистор IGBT 50T65FD1 Транзистор для інвертора Транзистори для зварювальних інверторів IGBT (Insulated Gate
Кропивницкий
Модуль Mosfet із опторозв'язкою F5305S PMOS тригерний модуль польовий транзистор. Кропивницкий. фото 1

Модуль Mosfet із опторозв'язкою F5305S PMOS тригерний модуль польовий транзистор

58 ГРН
Модуль Mosfet із опторозв'язкою F5305S PMOS тригерний модуль польовий транзистор У сучасних проектах на базі Arduino, д
Кропивницкий
Транзистор 70S360P7 Infineon ( IPD70R360P7S) оригінал, (заміна TPD70R360M, 70R36. Кропивницкий. фото 1

Транзистор 70S360P7 Infineon ( IPD70R360P7S) оригінал, (заміна TPD70R360M, 70R36

96 ГРН
Транзистор 70S360P7 Infineon ( IPD70R360P7S) оригінал, (заміна TPD70R360M, 70R360M) Технічні характеристики Параметри
Кропивницкий
Транзистор польовий IRFP460LC, IRFP460 N-канал 500В 20А. Кропивницкий. фото 1

Транзистор польовий IRFP460LC, IRFP460 N-канал 500В 20А

55 ГРН
IRFP460LC Транзистор TO-247 (відновлені ніжки)
Кропивницкий
MJE3055T Транзистор біжний NPN 60 V 10 A TO-220. Кропивницкий. фото 1

MJE3055T Транзистор біжний NPN 60 V 10 A TO-220

18 ГРН
Біполярний NPN транзистор TIP120 60 V 5 A TO-220. Технічні характеристики Структура: npn з darl Макс. наприклад к-б у ра
Кропивницкий
Электронный конструктор Первый транзистор 118 схем Doka D70701. Ивано-Франковск. фото 1

Электронный конструктор Первый транзистор 118 схем Doka D70701

1 036 ГРН
Новое
Электронный конструктор Первый транзистор 118 схем Doka D70701 Электронный конструктор Doka Первый транзистор 118 схем
Ивано-Франковск
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)

20 ГРН
Транзистор IRFB4310 HY3610 HY3610P 160A 100V. Транзисторы выпаянные, перед отправкой проверяем LCR тестером на работоспо
Ивано-Франковск
Транзистор IHW20N120R3 H20R1203 1200V 40A TO-247-3 (14424). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор IHW20N120R3 H20R1203 1200V 40A TO-247-3 (14424)

62 ГРН
Транзистор IHW20N120R3 H20R1203 1200V 40A TO-247-3. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные.
Ивано-Франковск
Чип FGA25N120 25N120 TO-3P, Транзистор IGBT 1200В 25А +диод. Киев. фото 1

Чип FGA25N120 25N120 TO-3P, Транзистор IGBT 1200В 25А +диод

55 ГРН
Биполярный n-канальный транзистор FGA25N120 в корпусе TO-3P.Имеет изолированный затвор (IGBT) и защитный диод. Модель: F
Киев
Чип BC817-40 100ШТ BC817 6C SOT-23, Транзистор биполярный NPN. Киев. фото 1

Чип BC817-40 100ШТ BC817 6C SOT-23, Транзистор биполярный NPN

60 ГРН
Лот из 100 штук!Биполярный n-p-n транзистор BC817-40 в корпусе SOT-23 для усилителей, генераторов сигналов, модуляторов
Киев
Чип BC557B 100ШТ BC557 TO-92, Транзистор биполярный PNP. Киев. фото 1

Чип BC557B 100ШТ BC557 TO-92, Транзистор биполярный PNP

170 ГРН
Лот из 100 штук!Биполярный PNP транзистор BC557B в корпусе TO-92.Максимальное напряжение К-Э: 45 ВМаксимальное напряжени
Киев
Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT. Киев. фото 1

Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT

12 ГРН
Биполярный транзистор с изолированным затвором 30F131 в корпусе TO-263-2 для использования в плазменных панелях.Максимал
Киев
Тестер полупроводниковых элементов, транзисторов LCR-T4. Киев. фото 1

Тестер полупроводниковых элементов, транзисторов LCR-T4

465 ГРН
Тестер полупроводниковых элементов с ЖК-дисплеем. Автоматически определяет номера и типы выводов: n-p-n и p-n-p транзист
Киев
Чип IRF640N 10ШТ IRF640 TO-220AB, Транзистор полевой N-канальный. Киев. фото 1

Чип IRF640N 10ШТ IRF640 TO-220AB, Транзистор полевой N-канальный

170 ГРН
Лот из 10 штук!Полевой транзистор IRF640N в корпусе TO-220AB. Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочаст
Киев
Драйвер MOSFET транзистор IRF520 0-24В модуль Arduino PIC ARM. Киев. фото 1

Драйвер MOSFET транзистор IRF520 0-24В модуль Arduino PIC ARM

30 ГРН
Модуль на основе MOSFET транзистора IRF520 для подключения к выходу контроллера нагрузки, превышающей его возможности. У
Киев
Тестер полупроводниковых элементов, транзисторов ESR LCR-TC1. Киев. фото 1

Тестер полупроводниковых элементов, транзисторов ESR LCR-TC1

550 ГРН
Тестер TC1 для распознавания и диагностики различных радиокомпонентов. Позволит измерить сопротивление резисторов, индук
Киев
Транзистор N-канал NCE7560K 75V 60A IRFR2307Z (18501). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор N-канал NCE7560K 75V 60A IRFR2307Z (18501)

14 ГРН
Транзистор N-канал NCE7560K 75V 60A IRFR2307Z.
Ивано-Франковск
Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал (18079). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал (18079)

21 ГРН
Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал. Технические характеристики Тип транзистора: MO
Ивано-Франковск
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)

72 ГРН
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем
Ивано-Франковск
Транзистор IGBT RJH60F7 600V 50A 329W TO3P (12819). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор IGBT RJH60F7 600V 50A 329W TO3P (12819)

59 ГРН
Транзистор IGBT RJH60F7 c изолированным затвором (IGBT) мощный высоковольтный c защитным диодом. Транзисторы заводские,
Ивано-Франковск
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18071). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18071)

13 ГРН
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал. Технические характеристики Наименование: IRFS640 Т
Ивано-Франковск
Транзистор NCE40H12K MOS N-ch 40V 120A SMD TO-252 (18387). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор NCE40H12K MOS N-ch 40V 120A SMD TO-252 (18387)

11 ГРН
Транзистор NCE40H12K MOS N-ch 40V 120A SMD TO-252.
Ивано-Франковск