Транзисторы Днепропетровская область

Цена
Валюта
Модуль Mosfet із опторозв'язкою F5305S PMOS тригерний модуль польовий транзистор. Кропивницкий. фото 1

Модуль Mosfet із опторозв'язкою F5305S PMOS тригерний модуль польовий транзистор

58 ГРН
Модуль Mosfet із опторозв'язкою F5305S PMOS тригерний модуль польовий транзистор У сучасних проектах на базі Arduino, д
Кропивницкий
Транзистор 70S360P7 Infineon ( IPD70R360P7S) оригінал, (заміна TPD70R360M, 70R36. Кропивницкий. фото 1

Транзистор 70S360P7 Infineon ( IPD70R360P7S) оригінал, (заміна TPD70R360M, 70R36

96 ГРН
Транзистор 70S360P7 Infineon ( IPD70R360P7S) оригінал, (заміна TPD70R360M, 70R360M) Технічні характеристики Параметри
Кропивницкий
Транзистор польовий IRFP460LC, IRFP460 N-канал 500В 20А. Кропивницкий. фото 1

Транзистор польовий IRFP460LC, IRFP460 N-канал 500В 20А

55 ГРН
IRFP460LC Транзистор TO-247 (відновлені ніжки)
Кропивницкий
MJE3055T Транзистор біжний NPN 60 V 10 A TO-220. Кропивницкий. фото 1

MJE3055T Транзистор біжний NPN 60 V 10 A TO-220

18 ГРН
Біполярний NPN транзистор TIP120 60 V 5 A TO-220. Технічні характеристики Структура: npn з darl Макс. наприклад к-б у ра
Кропивницкий
Электронный конструктор Первый транзистор 118 схем Doka D70701. Ивано-Франковск. фото 1

Электронный конструктор Первый транзистор 118 схем Doka D70701

1 036 ГРН
Новое
Электронный конструктор Первый транзистор 118 схем Doka D70701 Электронный конструктор Doka Первый транзистор 118 схем
Ивано-Франковск
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)

20 ГРН
Транзистор IRFB4310 HY3610 HY3610P 160A 100V. Транзисторы выпаянные, перед отправкой проверяем LCR тестером на работоспо
Ивано-Франковск
Транзистор IHW20N120R3 H20R1203 1200V 40A TO-247-3 (14424). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор IHW20N120R3 H20R1203 1200V 40A TO-247-3 (14424)

62 ГРН
Транзистор IHW20N120R3 H20R1203 1200V 40A TO-247-3. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные.
Ивано-Франковск
Чип FGA25N120 25N120 TO-3P, Транзистор IGBT 1200В 25А +диод. Киев. фото 1

Чип FGA25N120 25N120 TO-3P, Транзистор IGBT 1200В 25А +диод

55 ГРН
Биполярный n-канальный транзистор FGA25N120 в корпусе TO-3P.Имеет изолированный затвор (IGBT) и защитный диод. Модель: F
Киев
Чип BC817-40 100ШТ BC817 6C SOT-23, Транзистор биполярный NPN. Киев. фото 1

Чип BC817-40 100ШТ BC817 6C SOT-23, Транзистор биполярный NPN

60 ГРН
Лот из 100 штук!Биполярный n-p-n транзистор BC817-40 в корпусе SOT-23 для усилителей, генераторов сигналов, модуляторов
Киев
Чип BC557B 100ШТ BC557 TO-92, Транзистор биполярный PNP. Киев. фото 1

Чип BC557B 100ШТ BC557 TO-92, Транзистор биполярный PNP

170 ГРН
Лот из 100 штук!Биполярный PNP транзистор BC557B в корпусе TO-92.Максимальное напряжение К-Э: 45 ВМаксимальное напряжени
Киев
Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT. Киев. фото 1

Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT

12 ГРН
Биполярный транзистор с изолированным затвором 30F131 в корпусе TO-263-2 для использования в плазменных панелях.Максимал
Киев
Тестер полупроводниковых элементов, транзисторов LCR-T4. Киев. фото 1

Тестер полупроводниковых элементов, транзисторов LCR-T4

465 ГРН
Тестер полупроводниковых элементов с ЖК-дисплеем. Автоматически определяет номера и типы выводов: n-p-n и p-n-p транзист
Киев
Чип IRF640N 10ШТ IRF640 TO-220AB, Транзистор полевой N-канальный. Киев. фото 1

Чип IRF640N 10ШТ IRF640 TO-220AB, Транзистор полевой N-канальный

170 ГРН
Лот из 10 штук!Полевой транзистор IRF640N в корпусе TO-220AB. Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочаст
Киев
Драйвер MOSFET транзистор IRF520 0-24В модуль Arduino PIC ARM. Киев. фото 1

Драйвер MOSFET транзистор IRF520 0-24В модуль Arduino PIC ARM

30 ГРН
Модуль на основе MOSFET транзистора IRF520 для подключения к выходу контроллера нагрузки, превышающей его возможности. У
Киев
Тестер полупроводниковых элементов, транзисторов ESR LCR-TC1. Киев. фото 1

Тестер полупроводниковых элементов, транзисторов ESR LCR-TC1

550 ГРН
Тестер TC1 для распознавания и диагностики различных радиокомпонентов. Позволит измерить сопротивление резисторов, индук
Киев
Транзистор N-канал NCE7560K 75V 60A IRFR2307Z (18501). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор N-канал NCE7560K 75V 60A IRFR2307Z (18501)

14 ГРН
Транзистор N-канал NCE7560K 75V 60A IRFR2307Z.
Ивано-Франковск
Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал (18079). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал (18079)

21 ГРН
Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал. Технические характеристики Тип транзистора: MO
Ивано-Франковск
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)

72 ГРН
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем
Ивано-Франковск
Транзистор IGBT RJH60F7 600V 50A 329W TO3P (12819). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор IGBT RJH60F7 600V 50A 329W TO3P (12819)

59 ГРН
Транзистор IGBT RJH60F7 c изолированным затвором (IGBT) мощный высоковольтный c защитным диодом. Транзисторы заводские,
Ивано-Франковск
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18071). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18071)

13 ГРН
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал. Технические характеристики Наименование: IRFS640 Т
Ивано-Франковск
Транзистор NCE40H12K MOS N-ch 40V 120A SMD TO-252 (18387). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор NCE40H12K MOS N-ch 40V 120A SMD TO-252 (18387)

11 ГРН
Транзистор NCE40H12K MOS N-ch 40V 120A SMD TO-252.
Ивано-Франковск
Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252 (16816). Ивано-Франковск. фото 1

Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252 (16816)

10 ГРН
Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252. Infineon Technologies AG - крупнейший представитель полупровод
Ивано-Франковск