Транзисторы Чернигов

Цена
Валюта
Чип E13009-2 10ШТ MJE13009 TO-220, Транзистор биполярный NPN. Днепр. фото 1

Чип E13009-2 10ШТ MJE13009 TO-220, Транзистор биполярный NPN

220 ГРН
Лот из 10 штук!Биполярный NPN транзистор Е13009-2 в корпусе TO-220 для примения в импульсных блоках питания, электронных
Днепр
Новое
Полевой транзистор IRF3205 (10 шт.), TO-220, N-канальный MOSFET. Днепр. фото 1

Полевой транзистор IRF3205 (10 шт.), TO-220, N-канальный MOSFET

240 ГРН
Полевой транзистор IRF3205 (10 шт.), TO-220, N-канальный MOSFET Набор из 10 мощных полевых транзисторов IRF3205 в корпус
Днепр
Новое
IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А с встроенным диодом. Днепр. фото 1

IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А с встроенным диодом

130 ГРН
IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А с встроенным диодом Мощный IGBT транзистор FGA25N120 в корпусе TO-3
Днепр
Новое
Транзистор BC817-40 (SOT-23), NPN, 100 шт,подходят для поверхностного монтажа. Днепр. фото 1

Транзистор BC817-40 (SOT-23), NPN, 100 шт,подходят для поверхностного монтажа

130 ГРН
Транзистор BC817-40 (SOT-23), NPN, 100 шт. Лот из 100 штук биполярных n-p-n транзисторов BC817-40 в корпусе SOT-23. Эти
Днепр
Новое
Тестер полупроводниковых элементов LCR-T4 с ЖК дисплеем, транзистор тестер компо. Днепр. фото 1

Тестер полупроводниковых элементов LCR-T4 с ЖК дисплеем, транзистор тестер компо

660 ГРН
Тестеры для аккумуляторов
Тестер полупроводниковых элементов с ЖК-дисплеем — это компактный и удобный прибор, который автоматически определ
Днепр
Новое
Полевой транзистор IRF840 N-канальный 500В 8А 125Вт TO-220AB (набор 10 шт). Днепр. фото 1

Полевой транзистор IRF840 N-канальный 500В 8А 125Вт TO-220AB (набор 10 шт)

280 ГРН
Полевой транзистор IRF840 – это надежный N-канальный MOSFET, предназначенный для работы в цепях с высоким напряже
Днепр
Новое
Бочаров Л. Н. и др. Расчет электронных устройств на транзисторах. Полтава. фото 1

Бочаров Л. Н. и др. Расчет электронных устройств на транзисторах

100 ГРН
Б/у
Бочаров Л. Н. и др. Расчет электронных устройств на транзисторах Л. Н. Бочаров Расчёт електронных устройств на транзист
Полтава
BOX Сувенирные ножи "LEGACY Транзистор & TANTO РЕСТЛЕСС" [tsi185301-ТSІ]. Киев. фото 1

BOX Сувенирные ножи "LEGACY Транзистор & TANTO РЕСТЛЕСС" [tsi185301-ТSІ]

276 ГРН
Новое
Набор сувенирных ножей - Legacy транзистор и Tanto рестлесс. Материал: фанера. Длина ножа - 28 см. Замечательный подарок
Киев
Сувенирный нож "TANTO ТРАНЗИСТОР" [tsi175952-ТSІ]. Киев. фото 1

Сувенирный нож "TANTO ТРАНЗИСТОР" [tsi175952-ТSІ]

136 ГРН
Новое
Нож сувенирный "TANTO ТРАНЗИСТОР". Материал: фанера. Длина ножа - 28 см, ширина ручки - 3 см. Замечательный подарок-суве
Киев
Усилитель (блок УНЧ) APEX - FH5 SSR Mod.3 (2х75Вт) на полевых транзисторах. Новомиргород. фото 1

Усилитель (блок УНЧ) APEX - FH5 SSR Mod.3 (2х75Вт) на полевых транзисторах

2 860 ГРН
Усилитель мощности
Усилитель (блок УНЧ) APEX - FH5 SSR Mod.3 (2х75Вт) на полевых транзисторах Разработан фирмой APEX (Apex Microtechno
Новомиргород
Усилитель (блок УНЧ) APEX - FH9 XRK Mod.7 (2х140Вт) на полевых транзисторах. Новомиргород. фото 1

Усилитель (блок УНЧ) APEX - FH9 XRK Mod.7 (2х140Вт) на полевых транзисторах

9 680 ГРН
Усилитель мощности
Усилитель (блок УНЧ) APEX - FH9 XRK Mod.7 (2х140Вт) на полевых транзисторах Разработан фирмой APEX (Apex Microtechnol
Новомиргород
Усилитель (блок УНЧ) APEX - FH5 SSR Mod.5 (2х100Вт) на полевых транзисторах. Новомиргород. фото 1

Усилитель (блок УНЧ) APEX - FH5 SSR Mod.5 (2х100Вт) на полевых транзисторах

2 420 ГРН
Усилитель мощности
Усилитель (блок УНЧ) APEX - FH5 SSR Mod.5 (2х100Вт) на полевых транзисторах Разработан фирмой APEX (Apex Microtechn
Новомиргород
Набор транзисторов, стабилитронов ТО-220 регулятор напряжения 16 шт.. Киев. фото 1

Набор транзисторов, стабилитронов ТО-220 регулятор напряжения 16 шт.

125 ГРН
Универсальный набор широко используемых транзисторов, стабилитронов, регуляторов напряжения в корпусе ТО-220 имеют следу
Киев
Комплект транзисторов C5888 A2099 Транзисторная пара Epson R200 / R300. Киев. фото 1

Комплект транзисторов C5888 A2099 Транзисторная пара Epson R200 / R300

76 ГРН
Транзисторная пара C5888 и A2099 для ремонта главных плат принтеров и БФП Epson. Очень часто сгорают после неудачной про
Киев
Комплект транзисторов A2098 C6082 Транзисторная пара Epson R270 / 1410. Киев. фото 1

Комплект транзисторов A2098 C6082 Транзисторная пара Epson R270 / 1410

124 ГРН
Транзисторная пара A2098 и C6082 для ремонта главных плат принтеров и БФП Epson. Очень часто сгорают после неудачной про
Киев
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605). Ивано-Франковск. фото 1

Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)

11 ГРН
Биполярный n-p-n транзистор для миниатюрных устройств C1815. Технические характеристики Структура n-p-n Максимально доп
Ивано-Франковск
Транзистор SI2302 SOT23 SMD N-Channel Mosfet A2SHB 20V 2.3A 1.25W (14258). Ивано-Франковск. фото 1

Транзистор SI2302 SOT23 SMD N-Channel Mosfet A2SHB 20V 2.3A 1.25W (14258)

3 ГРН
Транзистор SI2302 sot23 smd N-Channel Mosfet A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт). Технические характеристики SI2302 маркировка A2
Ивано-Франковск
Силовой GaN транзистор SMD INN650D080BS Галлий нитрит (20783). Ивано-Франковск. фото 1

Силовой GaN транзистор SMD INN650D080BS Галлий нитрит (20783)

176 ГРН
650-вольтовый силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме обогащения в двухплоском корпусе без выводов (DFN) размером 8 м
Ивано-Франковск
Силовой GaN транзистор Галлий нитрид SMD INN100FQ016A (20864). Ивано-Франковск. фото 1

Силовой GaN транзистор Галлий нитрид SMD INN100FQ016A (20864)

333 ГРН
INN100FQ016A — это усиленный транзистор на основе нитрида галлия (GaN) от компании Innoscience, предназначенный для высо
Ивано-Франковск
Силовой GaN транзистор SMD ISG3201 Галлий нитрит (20781). Ивано-Франковск. фото 1

Силовой GaN транзистор SMD ISG3201 Галлий нитрит (20781)

430 ГРН
ISG3201 — это продукт Copak с напряжением 100В из семейства SolidGaN компании Innoscience. Он интегрирует два устройства
Ивано-Франковск
Силовой GaN транзистор SMD INN150LA070A Галлий нитрит (20784). Ивано-Франковск. фото 1

Силовой GaN транзистор SMD INN150LA070A Галлий нитрит (20784)

176 ГРН
GaN-on-Silicon E-mode HEMT транзистор с повышенным режимом движения электронов (HEMT) в конструкции Flip chip LGA (FCLGA
Ивано-Франковск
Силовой GaN транзистор SMD INN150FQ032A Галлий нитрит(20785). Ивано-Франковск. фото 1

Силовой GaN транзистор SMD INN150FQ032A Галлий нитрит(20785)

330 ГРН
Высокоподвижный транзистор (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе FCQFN с размером корпуса 4 мм x
Ивано-Франковск