Mosfet
-
MOSFET IRF740
10 ГРНтранзистор IRF740Транзистор IRF740 - MOSFET транзистор 3 покоління, гарантує швидку швидкість перемикання, має хорошу -
Транзистори MOSFET N-P-N P-N-P
100 ГРНТранзистори великий вибір зі складу НВП ІМС наявність та ціни дивіться прайс-https://www.ims.kh.ua/xls/vt_import.xls -
Драйверы IGBT, Mosfet с опторазвязкой - оптроны TLP190B
37 ГРНОптроны - драйверы Mosfet с гальванической развязкой TLP190B (P190B) оригинальные производства Toshiba обеспечивают разв -
P- канальный MOSFET транзистор IRLML6402
4 ГРНP- канальный MOSFET транзистор IRLML6402IRLML6402PBF является P-канальным силовым МОП-транзистором HEXFET -20В в корпус -
IRF9540N IRF9540NPBF транзистор польовий MOSFET TO-220
30 ГРНIRF9540N IRF9540NPBF транзистор польовий MOSFET TO-220Тип транзизора: MOSFETПолярність: PГранично допустима напруга -
Транзистор N-Mosfet 75В 130А IRF1407PBF TO-220
45 ГРННовий.Транзистор N-Mosfet 75В 130А IRF1407PBF TO-220ВиробникInternational Rectifier (IR)КорпусTO220СтруктураNСхе -
Транзистор PW20N60S5 20N60S5 MOSFET 600V 20A TO-247
100 ГРНМаркування: 20N60S5Тип транзизора: MOSFETПолярність: NМаксимальна розсіювана потужність (Pd): 208 WГранично допустим -
Транзистор N-Mosfet 600В 7А SVF7N60F TO-220F
30 ГРННовий.Транзистор N-Mosfet 600В 7А SVF7N60F TO-220FТехнічні параметри:Корпус - TO-220FСтруктура — n-канал + діодМакс -
IRF520 модуль MOSFET транзистора (силовий ключ)
40 ГРНОписПростий драйвер на основі MOSFET транзизора IRF520N. Дає змогу отримати ШІМ до 24 В, використовується для світлодіо -
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
22 ГРНТранзистор полевой IRF530N MOSFET. Технические характеристики Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Макс -
Высоковольтный драйвер IR2153 MOSFET DIP8 (11394)
39 ГРНМикросхема IR2153 в корпусе DIP-8, полумост с генератором 600В 200мА. Микросхема IR2153 имеет в своем составе внутренни -
Модуль силового ключа на двох MOSFET AOD4184
40 ГРНМодуль силового ключа на двох MOSFET AOD4184Силовий модуль на двох польових транзисторів AOD4184 призначений для комут -
Транзистор MOSFET N-канал Huayi HYG011N04LS1TA TOLL
95 ГРНMOSFET N-канал Huayi HYG011N04LS1TA TOLLМаркування G011N04 -
Транзистор IRF9540N
30 ГРНТип транзистора: MOSFETПолярность: P- Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W- Предельно допустимое напряжение с -
Транзисторы мосфет полевые и IGBT со склада
100 ГРНТранзисторы в том числе SMD и силовые со склада большой выбор подробно цены и наличие смотрите прайс: https://www.ims.kh -
Прокладка картера редуктора мотора заднего MOSFET со стороны ротора Tesla model
1 526 ГРНРедуктор мотора заднего MOSFET (M3) 1120970-00-FДоставка по Украине Новой почтой, в страны ЕС, США, по всем странам ми -
Транзистор IRLR3705ZPBF IR MOSFET N-канал 55V 89A 8mOm (14878)
15 ГРНТранзистор IRLR3705ZPBF IR MOSFET N-канал 55V 89A 8mOm. -
Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал (18079)
22 ГРНТранзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал. Технические характеристики Тип транзистора: MO -
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18071)
14 ГРНТранзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал. Технические характеристики Наименование: IRFS640 Т -
Транзистор IRFR4104 IRFR4104 FR4104 MOSFET N-CH 40V 42A (15765)
10 ГРНТранзистор IRFR4104 IRFR4104 FR4104 MOSFET N-CH 40V 42A. -
Транзистор IRL3636 IRLR3636TRPBF LR3636 MOSFET N-CH 60V 50A (15764)
12 ГРНТранзистор IRL3636 IRLR3636TRPBF LR3636 MOSFET N-CH 60V 50A. -
Транзистор N-канальный Mosfet IRFP460 500В 20А (11169)
62 ГРНТранзистор N-канальный Mosfet IRFP460 500В 20А. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На н