P- канальный MOSFET транзистор IRLML6402

P- канальный MOSFET транзистор IRLML6402
IRLML6402PBF является P-канальным силовым МОП-транзистором HEXFET -20В в корпусе Micro3 (SOT-23). Данный МОП-транзистор обладает очень низким сопротивлением во включенном состоянии. Его известные характеристики прочности и быстрой коммутации обеспечивают высокую эффективность и надежность в эксплуатации. Он может быть использован в различных сферах применения, где важна экономия места: управление нагрузкой и батареями, портативная электроника, PCMCIA карты и печатные платы.
Параметры:
тип управляющего канала: P
рассеиваемая мощность: 1.3 Bт
макс. напряжение сток-исток: 20 B
предельное напряжение затвор-исток: 4.5 В
предельный ток затвора транзистора: 3.7 А
предельная температура: 150 С
сопротивление открытого канала при диапазоне: 65 мОм