Комплектующие, аксессуары Запорожье – igbt
-
Драйверы IGBT, Mosfet с опторазвязкой - оптроны TLP190B
37 ГРНОптроны - драйверы Mosfet с гальванической развязкой TLP190B (P190B) оригинальные производства Toshiba обеспечивают разв -
Транзистори мосфети IGBT біполярні
100 ГРНТранзистори великий вибір зі складу НВП ІМС за готівковий та безготівковий (з пдв) розрахунок, наявність та ціни - htt -
Транзистори MOSFET N-P-N P-N-P
100 ГРНТранзистори великий вибір зі складу НВП ІМС наявність та ціни дивіться прайс -https://www.ims.kh.ua/xls/vt_import.xls -
IGBT-транзистор K20T60 ( IKW20N60T ) TO247
85 ГРНТехнічні параметри:Корпус - TO-247Максимальна напруга стоток — 600 вольтів 20 АМаксимальний струм за 25 oC — 80 Ампе -
-
Транзистор IGBT G30N60A4 G30N60A4 600V 75A TO-247
100 ГРНТип транзизатора: IGBTМаркування: G30N60A4Тип керівного каналу: N-ChannelТип корпусу: ТО247 -
Транзистор IGBT H20PR5 (IHW20N135R5, IHW20N135R5XKSA1 Infineon)
95 ГРННайменування: IHW20N135R5Маркування: H2PR5Тип керівного каналу: N-ChannelМаксимальна розсіювана потужність (Pc): 288 -
Транзистор IGBT FGH40N60SFD 600 V, 60 A TO247
180 ГРННайменування: FGH60N60SFDТип керівного каналу: N-ChannelМаксимальна розсіювана потужність (Pc):Гранично-допустима нап -
Транзистор GP50B60PD1 (IRGP50B60PD1PBF) IGBT 600В 75А TO-247AC
100 ГРНТранзистор IRGP50B60PD1 — це високоефективний N-канальний IGBT транзистор із номінальними характеристиками 75А і 600 В, -
Транзисторы мосфет полевые и IGBT со склада
100 ГРНТранзисторы в том числе SMD и силовые со склада большой выбор подробно цены и наличие смотрите прайс: https://www.ims.kh -
Транзистор IGBT IKW50N60T K50T60 600V 50A TO-247
90 ГРНТип транзизатора: IGBTМаркування: K50T60Тип керівного каналу: N-ChannelМаксимальна розсіювана потужність (Pc), W: 333 -
Транзистор IGBT H30PR5 (IHW30N135R5, IHW30N135R5XKSA1 Infineon)
200 ГРННайменування: IHW30N135R5Маркування: H30PR5Тип керівного каналу: N-ChannelМаксимальна розсіювана потужність (Pc): 288 -
Мікросхема SIE20034 DIP-8 (драйвер IGBT)
1 635 ГРНSIE20034IGBT DRIVER8 PIN DIP16-LINEDIGITALDEMULTIPLEXER -
Модуль IGBT транзистор 1MBI200SA-120B-52 200A 1200v
1 100 ГРНМодуль IGBT транзистор 1MBI200SA-120B-52 200A 1200v, повністю робочі, перевірені. -
Транзисторы IGBT 25 видов в интернет-магазине Радиодетали у Бороды
35 ГРН-Транзисторы IGBT 25 видовв интернет-магазине Радиодетали у Бороды-IRG4BC10K n 600v 9(18)a 38w to220 1 шт. по 34 -
Чип RJP63K2 TO-263, Транзистор IGBT 630В 35А
35 ГРНБиполярный транзистор RJP63K2 в корпусе TO263.Модель: RJP63K2Напряжение коллектор-эмиттер: 630 ВТок коллектора: 35 АНап -
Чип IRG7IC28U IRG71C28U TO-220FP, Транзистор IGBT 600В 25А
35 ГРНБиполярный транзистор с изолированным затвором IGBT IRG7IC28U в корпусе TO-220FP / TO-220-3-FP (Full Package - основание -
Транзистор IGBT H25R1203 1200V 25A TO-247 (18265)
51 ГРНТранзистор IGBT H25R1203 1200V 25A TO-247. -
Транзистор полевой IGBT IKW50N60T K50T60 600V 50A TO-247 (19292)
108 ГРНТранзистор полевой IGBT IKW50N60T K50T60 600V 50A TO-247. -
Транзистор полевой IGW40T60K 40T60 IGBT 600V 40A TO-3P (19291)
70 ГРНТранзистор полевой IGW40T60K 40T60 IGBT 600V 40A TO-3P. -
Транзистор полевой SGP30N60HS G30N60HS IGBT N-Ch 600V 40A TO220 (19290)
48 ГРНТранзистор полевой SGP30N60HS G30N60HS IGBT N-Ch 600V 40A TO220. -
Транзистор биполярный IRG4BC30KD G4BC30KD IGBT 600V 28A TO220 (19288)
48 ГРНТранзистор биполярный IRG4BC30KD G4BC30KD IGBT 600V 28A TO220. -
Транзистор IGBT G60N100BNTD 1000V 60A 180W TO-247 до зварювання
200 ГРНХарактеристики:Напруга колектор-іміттер (UCES), В1000 Максимально допустимий струм колектора (Ic), А60 Максималь -
FGA25N120ANTD TO-3P 1200 V, 25 A NPT Trench IGBT CHINA
50 ГРНКорпусTO-3PNСтруктураIGBT + DiodeСхема з'єднанняОдиничнийМакс. напруга колектор-емітер1.2 kVНапруга затвора -
Чип FGA25N120 25N120 TO-3P, Транзистор IGBT 1200В 25А +диод
55 ГРНБиполярный n-канальный транзистор FGA25N120 в корпусе TO-3P.Имеет изолированный затвор (IGBT) и защитный диод.Модель: F