FGA25N120ANTD TO-3P 1200 V, 25 A NPT Trench IGBT CHINA

Корпус
TO-3PN
Структура
IGBT + Diode
Схема з'єднання
Одиничний
Макс. напруга колектор-емітер
1.2 kV
Напруга затвора — еміттер
±20 V
Макс. струм колектора (25 °C)
50 А
Макс. струм колектора (100 °C)
25 А
Макс. постійний струм діода (25 °C)
50 А
Макс. постійний струм діода (100 °C)
25 А
Час відновлення діода (25 °C/tmax)
235 / 300 нс
Потужність розсіювання за 25 °C
312 Вт