Комплектующие, аксессуары Винница – igbt
-
Транзистор биполярный IRG4BC30KD G4BC30KD IGBT 600V 28A TO220 (19288)
47 ГРНТранзистор биполярный IRG4BC30KD G4BC30KD IGBT 600V 28A TO220. -
Транзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN (19224)
57 ГРНТранзистор CRG40T60 CRG40T60AN3H-N IGBT 650V 80A TO-3PN. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короч -
Чип FGA25N120 25N120 TO-3P, Транзистор IGBT 1200В 25А +диод
55 ГРНБиполярный n-канальный транзистор FGA25N120 в корпусе TO-3P.Имеет изолированный затвор (IGBT) и защитный диод.Модель: F -
Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT
25 ГРНБиполярный транзистор с изолированным затвором 30F131 в корпусе TO-263-2 для использования в плазменных панелях.Максимал -
-
Транзистор IGBT G60N100BNTD 1000V 60A 180W TO-247 до зварювання
200 ГРНХарактеристики:Напруга колектор-іміттер (UCES), В1000 Максимально допустимий струм колектора (Ic), А60 Максималь -
FGA25N120ANTD TO-3P 1200 V, 25 A NPT Trench IGBT CHINA
50 ГРНКорпусTO-3PNСтруктураIGBT + DiodeСхема з'єднанняОдиничнийМакс. напруга колектор-емітер1.2 kVНапруга затвора -
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)
78 ГРНТранзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал. Технические характеристики Напряжение коллектор-эмиттер -
Транзистор IGBT CT60AM18 N-ch 900V 60A (15060)
92 ГРНТранзистор IGBT CT60AM18 N-ch 900V 60A. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На ножках з -
Транзистор FGA25N120 IGBT 1200V 50A TO-3P (18262)
50 ГРНТранзистор FGA25N120 IGBT 1200V 50A TO-3P. -
Транзистор FGH40N60NPFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247 (17065)
61 ГРНТранзистор FGH40N60SFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247. Тип транзистора:IGBT Напряжение коллектор-эмиттер:600В Ток колле -
Транзистор полевой IGBT IKW30N60T K30T60 600V 30A TO-247 (19293)
57 ГРНТранзистор полевой IGBT IKW30N60T K30T60 600V 30A TO-247. -
Транзистор полевой IKP20N60T K20T60 IGBT N-Ch 600V 40A TO220 (19289)
47 ГРНТранзистор полевой IKP20N60T K20T60 IGBT N-Ch 600V 40A TO220. -
Транзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой (19228)
42 ГРНТранзистор FGA3060ADF TO-3P 30A 600V IGBT полевой. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем -
Транзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A (19227)
57 ГРНТранзистор полевой 40N120F IGBT TO247 N-Ch 1200V 40A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, -
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)
68 ГРНТранзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем -
Транзистор G30T60 IGW30N60T N-Ch IGBT 600V 60A TO247 (19225)
31 ГРНТранзистор G30T60 IGW30N60T IGBT 600V 60A TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем у -
Транзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch (19215)
47 ГРНТранзистор 40N60 FGAF40N60UF IGBT 40A 600V TO-3P N-Ch. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче -
Транзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247 (19214)
53 ГРНТранзистор K75T60 IKW75T60T 75A 600V IGBT N-Ch TO247. Транзисторы оригинальные, выпаяные на производстве, ножки короче, -
Чип NGD8201AG NGD8201 TO-252, Транзистор IGBT N-канальный 440В 20А
35 ГРНN-канальный IGBT транзистор NGD8201AG в корпусе TO-252. Применяется в автомобильных системах зажигания.Максимальное нап