Комплектуючі, аксесуари Запоріжжя – транзисторы
-
Чип FGA25N120 25N120 TO-3P, Транзистор IGBT 1200В 25А +діод
55 ГРНБіполярний n-канальний транзистор FGA25N120 в корпусі TO-3P.Має ізольований затвор (IGBT) і захисний діод.Модель: FGA -
Чип BC817-40 100ШТ BC817 6C SOT-23, Транзистор біполярний NPN
60 ГРНЛот з 100 штук!Біполярний n-p-n транзистор BC817-40 в корпусі SOT-23 для підсилювачів, генераторів сигналів, модуляторі -
Чип BC557B 100ШТ BC557 TO-92, Транзистор біполярний PNP
170 ГРНЛот з 100 штук!Біполярний PNP транзистор BC557B в корпусі TO-92.Максимальна напруга К-Е: 45 ВМаксимальна напруга К- -
Чип 30F131 GT30F131 TO263-2, Транзистор IGBT
12 ГРНБіполярний транзистор з ізольованим затвором 30F131 в корпусі ТО-263-2 для використання в плазмових панелях.Максимальн -
-
Чип IRF640N 10ШТ IRF640 TO-220AB, Транзистор польовий N-канальний
170 ГРНЛот з 10 штук!Польовий транзистор IRF640N в корпусі TO-220AB. Призначений для роботи в регуляторах потужності, високоча -
Драйвер MOSFET транзистор IRF520 0-24В модуль Arduino PIC ARM
30 ГРНМодуль на основі MOSFET транзистора IRF520 для підключення до виходу контролера навантаження, що перевищує його можливос -
Транзистор N-канал NCE7560K 75V 60A IRFR2307Z (18501)
14 ГРНТранзистор N-канал NCE7560K 75V 60A IRFR2307Z. -
Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал (18079)
21 ГРНТранзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал. Технические характеристики Тип транзистора: MO -
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)
72 ГРНТранзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем -
Транзистор IGBT RJH60F7 600V 50A 329W TO3P (12819)
59 ГРНТранзистор IGBT RJH60F7 c изолированным затвором (IGBT) мощный высоковольтный c защитным диодом. Транзисторы заводские, -
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18071)
13 ГРНТранзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал. Технические характеристики Наименование: IRFS640 Т -
Транзистор NCE40H12K MOS N-ch 40V 120A SMD TO-252 (18387)
11 ГРНТранзистор NCE40H12K MOS N-ch 40V 120A SMD TO-252. -
Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252 (16816)
10 ГРНПолевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252. Infineon Technologies AG - крупнейший представитель полупровод -
Транзистор IRFR4104 IRFR4104 FR4104 MOSFET N-CH 40V 42A (15765)
10 ГРНТранзистор IRFR4104 IRFR4104 FR4104 MOSFET N-CH 40V 42A. -
Транзистор IRL3636 IRLR3636TRPBF LR3636 MOSFET N-CH 60V 50A (15764)
11 ГРНТранзистор IRL3636 IRLR3636TRPBF LR3636 MOSFET N-CH 60V 50A. -
Транзистор P75NF75 N-Ch TO-220 75V 100A (18877)
10 ГРНТранзистор P75NF75 N-Ch TO-220 75V 100A. -
Транзистор FQPF12N60C 12N60C 12N60 N-Ch 12A 600V TO-220F (18272)
24 ГРНТранзистор FQPF12N60C 12N60C 12N60 N-Ch 12A 600V TO-220F. -
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)
83 ГРНТранзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал. Технические характеристики Напряжение коллектор-эмиттер -
Транзистор полевой MOSFET SPW47N60C3 N-канал 600V 47A (12711)
114 ГРНТранзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 47А; 415Вт; TO247. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянн -
Транзистор биполярный Toshiba 2SA1943 PNP 230V 15A TO-264 (18298)
40 ГРНТранзистор биполярный Toshiba 2SA1943 PNP 230V 15A TO-264. -
Транзистор биполярный Toshiba TTC5200 PNP 230V 15A TO-264 (18296)
40 ГРНТранзистор биполярный Toshiba TTC5200 PNP 230V 15A TO-264. -
Транзистор N-канальный Mosfet IRFP460 500В 20А (11169)
59 ГРНТранзистор N-канальный Mosfet IRFP460 500В 20А. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На н -
Модуль МОП-транзистора заменяет реле LR7843 (17643)
44 ГРНМодуль МОП-транзистора заменяет реле LR7843. Модуль представляет собой мощный n-канальный MOSFET транзистор, с входом, -
Транзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220 (19200)
39 ГРНТранзистор IRF3205 оригинал MOSFET N-канал 55V 110A TO220. IRF3205, оригинал MOSFET транзистор, N-канал 55В, 110А, TO220