Комплектуючі, аксесуари Запоріжжя – транзисторы
-
Набор транзисторов, стабилитронов L7805, L7809, L7812, L7815, L7905, L7909, L791
145 ГРНУниверсальный набор широко используемых транзисторов, стабилитронов, регуляторов напряжения в корпусе ТО-220 имеют следу -
Набор транзисторов 180 шт (биполярные, маломощные) 2N5551 S8050 S8550 S9012 S901
75 ГРННабор биполярных транзисторов 180 шт. та 250 шт. Маломощные транзисторы в корпусе ТО-92, имеет 18 номиналов по 10 шт. та -
Микросхема транзистор FS8205S MOSFET SOT23-6 (11397)
4 ГРНТранзисторная сборка FS8205S (FS8205) - Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET, SOT23-6. Технические характеристи -
Транзистор MOS NCE30H29D NCE30H29 30V 290A TO-263 (18493)
37 ГРНТранзистор MOS NCE30H29D NCE30H29 30V 290A TO-263. -
-
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A 10шт (12433)
15 ГРНТранзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A. Технические характеристики Наименование прибора: AO3400 Маркировка: A -
Транзистор IGBT H30R1203 1200V 30A TO-247 (18264)
62 ГРНТранзистор IGBT H30R1203 1200V 30A TO-247. -
Силовой GaN транзистор SMD GS61004B-MR Галлий нитрит (20780)
430 ГРНGS61004B — это силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме улучшения. Свойства GaN обеспечивают высокий ток, высокое напр -
Силовой GaN транзистор INN700TJ190B в корпусе TO-220 Галлий нитрид (20782)
198 ГРНСиловой GaN транзистор INN700TJ190B в корпусе TO-220 Параметры: Усиленный транзистор - реле с нормально закрытым контакт -
Силовой GaN транзистор SMD INN100W032A Галлий нитрит (20786)
288 ГРНТранзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе WLCSP с размер -
Транзистор FGH40N60SFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247 (17065)
64 ГРНТранзистор FGH40N60SFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247. Тип транзистора:IGBT Напряжение коллектор-эмиттер:600В Ток коллект -
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD (11740)
11 ГРНТранзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD. Технические характеристики Низкий коллектор-эмиттер напряжение насыщения Быстра -
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)
9 ГРНТранзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал. Технические характеристики Наименование прибора: RU6888R Т -
Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал (18078)
10 ГРНТранзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал. Технические характеристики Наименование: TK80E08K3 -
Транзистор AOD442 D442 60V 37A MOSFET N-Ch TO-252 (17430)
25 ГРНТранзистор AOD442 D442 60V 37A MOSFET N-Ch TO-252. -
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А (11426)
10 ГРНБиполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А. Технические характеристики Структура: n-p-n Максимально допустимое напряжение -
Биполярный NPN транзистор TIP120 60V 5A TO-220 (12518)
15 ГРНБиполярный NPN транзистор TIP120 60V 5A TO-220. Технические характеристики Структура: npn с darl Макс. напр. к-б при за -
Ремкомплект микросхема TH8056 KDC-A и два транзисторы W17 и 5BW (18054)
348 ГРНРемкомплект микросхема TH8056 KDC-A и два транзисторы W17 и 5BW. Используется для ремонта приборной панели Chevrolet Ma -
Транзистор 3Н0404 Citroen Elysee Peugeot 301 Power Tube Field Effect (18026)
59 ГРНТранзистор 3Н0404 Citroen Elysee Peugeot 301 Power Tube Field Effect. -
Биполярный транзистор n-p-n BU508 700V 8A TO-247 (14572)
31 ГРНБиполярный транзистор n-p-n BU508 700V 8A. -
Транзистор полевой FQPF10N60C MOSFET 10А 600V (11396)
20 ГРНТранзистор полевой FQPF10N60C MOSFET 10А 600V. Технические характеристики MOSFET силовой транзистор - [TO-220] Тип: N U -
Оригінальний Транзистор 11N90e To-247 N-канальний Mosfet FMH11N90E для оригіналь
75 ГРНТранзистор 11N90e To-247 N-канальний Mosfet оригінал б/вТранзистори заводські, гарної якості, але не нові – випаяні. На -
Транзистор 60T65PES Magnachip IGBT 650V / 50A для інвертора
100 ГРНТранзистор 60T65PES Magnachip IGBT 650V / 50A для інвертора650V /50A Trench Field Stop IGBTМаксимальний робочий струм -
Транзистор TGAN60N60F2DS TGAN60N60F2 TO-3PN силовий для інверторів перетворювачі
110 ГРНТранзистор оригінальний TGAN60N60F2DS. TGAN 60N60F2DS, TGAN60N60F2 Технічні параметри:напруга колектор емітер (U -
Транзистор FGH30S130P індукційної плити для варильної панелі (TO-247)
85 ГРНТранзистор індукційної плити FGH30S130P з ізольованим IGBT затворомМаксимальний робочий струм 60a за t 20ºCНомінальни