Комплектуючі, аксесуари Івано-Франківськ – транзисторы
-
Транзистор NCE3010 3010S 30V 10A SMD N-Channel МОП-транзистор SOP-8 (14259)
12 ГРНТранзистор NCE3010 3010S 30V 10A SMD N-Channel МОП-транзистор SOP-8. Технические характеристики VDS = 30V ID = 1OA с RD -
Транзистор полевой IRLML6402 TRPBF P-ch 20V 3.7A SOT23 (12429)
6 ГРНТранзистор полевой P-канальный MOSFET. Технические характеристики Силовой транзистор: Р-канальный Структура транзистора -
Транзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал (18072)
12 ГРНТранзистор полевой HY1707P N-ch MOSFET 80A 75V TO220 б.у оригинал. Технические характеристики Наименование: HY1707P Т -
Транзистор IRFZ44N полевой N-канал 55V 49A TO-220AB (18282)
19 ГРНТранзистор IRFZ44N полевой N-канал 55V 49A TO-220AB. -
-
Транзистор STP75NF75 MOSFET N-Channel 75V 75A TO220FP (17067)
21 ГРНТранзистор STP75NF75 MOSFET N-Channel 75V 75A TO220FP. Транзисторы выпаяны, с восстановленными ножками. Тип транзистор -
Биполярный транзистор TIP127 PNP 5A 100V 65W (15434)
11 ГРНБиполярный транзистор TIP127 PNP 5A 100V 65W. -
Транзистор STMicroelectronics 65NF06 STP65NF06 P65NF06 N-CH 60V 60A TO-220 (1828
20 ГРНТранзистор STMicroelectronics 65NF06 STP65NF06 P65NF06 N-CH 60V 60A TO-220. -
Полевой транзистор Mosfet ME15N10-G TO252 100V 14A (11539)
11 ГРНПолевой транзистор Mosfet ME15N10-G TO252 100V 14A. Технические характеристики Модель: ME15N10-G Напряжение: 100V Ток: -
Биполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92 5шт (11684)
10 ГРНБиполярный транзистор A1015 N-P-N TO-92. Технические характеристики Наименование производителя: A1015 Тип материала: Si -
МОП-транзистор IRF3710 n-канальный MOSFET 100V 57A To-220AB (16388)
18 ГРНIRF3710 MOSFET - предназначен для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничител -
Микросхема транзистор FS8205S MOSFET SOT23-6 (11397)
4 ГРНТранзисторная сборка FS8205S (FS8205) - Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET, SOT23-6. Технические характеристи -
Транзистор MOS NCE30H29D NCE30H29 30V 290A TO-263 (18493)
37 ГРНТранзистор MOS NCE30H29D NCE30H29 30V 290A TO-263. -
Транзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A 10шт (12433)
15 ГРНТранзистор полевой AO3400 SOT-23 FET N-ch 30V 5A. Технические характеристики Наименование прибора: AO3400 Маркировка: A -
Транзистор IGBT H30R1203 1200V 30A TO-247 (18264)
62 ГРНТранзистор IGBT H30R1203 1200V 30A TO-247. -
Силовой GaN транзистор SMD GS61004B-MR Галлий нитрит (20780)
430 ГРНGS61004B — это силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме улучшения. Свойства GaN обеспечивают высокий ток, высокое напр -
Силовой GaN транзистор INN700TJ190B в корпусе TO-220 Галлий нитрид (20782)
198 ГРНСиловой GaN транзистор INN700TJ190B в корпусе TO-220 Параметры: Усиленный транзистор - реле с нормально закрытым контакт -
Силовой GaN транзистор SMD INN100W032A Галлий нитрит (20786)
288 ГРНТранзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе WLCSP с размер -
Транзистор FGH40N60SFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247 (17065)
64 ГРНТранзистор FGH40N60SFD IGBT N-Channel 600V 40A TO247. Тип транзистора:IGBT Напряжение коллектор-эмиттер:600В Ток коллект -
Транзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD (11740)
11 ГРНТранзистор силовой TL D1804 TO-252 SMD. Технические характеристики Низкий коллектор-эмиттер напряжение насыщения Быстра -
Транзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал (18080)
9 ГРНТранзистор полевой RU6888R N-ch 68V 88A TO-263 б.у оригинал. Технические характеристики Наименование прибора: RU6888R Т -
Транзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал (18078)
10 ГРНТранзистор полевой MOSFET TK80E08K3 80A 75V N-ch TO220 б.у оригинал. Технические характеристики Наименование: TK80E08K3 -
Транзистор AOD442 D442 60V 37A MOSFET N-Ch TO-252 (17430)
25 ГРНТранзистор AOD442 D442 60V 37A MOSFET N-Ch TO-252. -
Биполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А (11426)
10 ГРНБиполярный транзистор TIP41C NPN 100В 6А. Технические характеристики Структура: n-p-n Максимально допустимое напряжение -
Биполярный NPN транзистор TIP120 60V 5A TO-220 (12518)
15 ГРНБиполярный NPN транзистор TIP120 60V 5A TO-220. Технические характеристики Структура: npn с darl Макс. напр. к-б при за