Карта сайта
26 июня 2019, 22:19
КТ819Б Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n перекл. Киев, Киевская область. фото 1
Основная информация
#3161211
12ГРН
Категория: Электронные компоненты
Вид: Расходные материалы для электроники
Состояние Новое
Описание
КТ819Б Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Характеристики:
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3)
Структура транзистора: n-p-n
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 2 Вт
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 80 В (0,1кОм)
Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А
Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А
Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (40В)
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 12
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом
Оцените полноту описания
4.13 1 голос Спасибо, ваш голос принят
Все (0)
Последние комментарии
К данному объявлению нет комментариев