Карта сайта
26 июня 2019, 22:19
Транзисторы КТ815В кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилит. Киев, Киевская область. фото 1
Основная информация
#3161438
9ГРН
Категория: Электронные компоненты
Вид: Расходные материалы для электроники
Состояние Новое
Описание
Транзисторы КТ815В кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Характеристики:
Тип корпуса: КТ-27-2 (ТО-126)
Структура транзистора: p-n-p
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 70 В (0,1кОм) Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1,5 А Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 3 А
Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мА (40В)
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 40
Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом
Оцените полноту описания
4.13 1 голос Спасибо, ваш голос принят
Все (0)
Последние комментарии
К данному объявлению нет комментариев