Биполярный транзистор SS8550 Y2 SOT-23 10шт (11415)
12 ГРН
Транзистор SS8550 - PNP medium power transistor 40V, 0.5A Технические характеристики I(c): 0.5A V(cbo): 40V Тип корпуса
Ивано-Франковск
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
20 ГРН
Транзистор IRFB4310 HY3610 HY3610P 160A 100V. Транзисторы выпаянные, перед отправкой проверяем LCR тестером на работоспо
Ивано-Франковск
Транзистор IHW20N120R3 H20R1203 1200V 40A TO-247-3 (14424)
62 ГРН
Транзистор IHW20N120R3 H20R1203 1200V 40A TO-247-3. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные.
Ивано-Франковск
Транзисторы германиевые ГТ320А, ГТ320Б, ГТ308А, ГТ402Б, ГТ403Ж раритет СССР.
3 ГРН
Транзисторы германиевые ГТ320А, ГТ320Б, ГТ308А, ГТ402Б, ГТ403Ж раритет СССР.
Цена указана ориентировочно. Цену и нал
Павлоград
Чип FGA25N120 25N120 TO-3P, Транзистор IGBT 1200В 25А +диод
55 ГРН
Биполярный n-канальный транзистор FGA25N120 в корпусе TO-3P.Имеет изолированный затвор (IGBT) и защитный диод. Модель: F
Киев
Чип BC817-40 100ШТ BC817 6C SOT-23, Транзистор биполярный NPN
60 ГРН
Лот из 100 штук!Биполярный n-p-n транзистор BC817-40 в корпусе SOT-23 для усилителей, генераторов сигналов, модуляторов
Киев
Чип BC557B 100ШТ BC557 TO-92, Транзистор биполярный PNP
170 ГРН
Лот из 100 штук!Биполярный PNP транзистор BC557B в корпусе TO-92.Максимальное напряжение К-Э: 45 ВМаксимальное напряжени
Киев
Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT
12 ГРН
Биполярный транзистор с изолированным затвором 30F131 в корпусе TO-263-2 для использования в плазменных панелях.Максимал
Киев
Чип IRF640N 10ШТ IRF640 TO-220AB, Транзистор полевой N-канальный
170 ГРН
Лот из 10 штук!Полевой транзистор IRF640N в корпусе TO-220AB. Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочаст
Киев
Драйвер MOSFET транзистор IRF520 0-24В модуль Arduino PIC ARM
30 ГРН
Модуль на основе MOSFET транзистора IRF520 для подключения к выходу контроллера нагрузки, превышающей его возможности. У
Киев
Транзистор N-канал NCE7560K 75V 60A IRFR2307Z (18501)
14 ГРН
Транзистор N-канал NCE7560K 75V 60A IRFR2307Z.
Ивано-Франковск
Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал (18079)
21 ГРН
Транзистор полевой FQPF15N65 MOSFET N-ch 600V 15A TO-220 б.у оригинал.
Технические характеристики Тип транзистора: MO
Ивано-Франковск
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A (19226)
72 ГРН
Транзистор K75H603 IKW75N60H3 IGBT N-Ch 600V 80A. Транзисторы оригинальные, выпаяны на производстве, ножки короче, чем
Ивано-Франковск
Транзистор IGBT RJH60F7 600V 50A 329W TO3P (12819)
59 ГРН
Транзистор IGBT RJH60F7 c изолированным затвором (IGBT) мощный высоковольтный c защитным диодом. Транзисторы заводские,
Ивано-Франковск
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал (18071)
13 ГРН
Транзистор полевой IRFS640 200V 18A N-ch MOSFET TO220 б.у оригинал.
Технические характеристики Наименование: IRFS640 Т
Ивано-Франковск
Транзистор NCE40H12K MOS N-ch 40V 120A SMD TO-252 (18387)
11 ГРН
Транзистор NCE40H12K MOS N-ch 40V 120A SMD TO-252.
Ивано-Франковск
Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252 (16816)
10 ГРН
Полевой транзистор N-канал IRLR7843TRPBF LR7843 TO-252.
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель полупровод
Ивано-Франковск
Транзистор IRFR4104 IRFR4104 FR4104 MOSFET N-CH 40V 42A (15765)
10 ГРН
Транзистор IRFR4104 IRFR4104 FR4104 MOSFET N-CH 40V 42A.
Ивано-Франковск
Транзистор IRL3636 IRLR3636TRPBF LR3636 MOSFET N-CH 60V 50A (15764)
11 ГРН
Транзистор IRL3636 IRLR3636TRPBF LR3636 MOSFET N-CH 60V 50A.
Ивано-Франковск
Ивано-Франковск
Транзистор FQPF12N60C 12N60C 12N60 N-Ch 12A 600V TO-220F (18272)
24 ГРН
Транзистор FQPF12N60C 12N60C 12N60 N-Ch 12A 600V TO-220F.
Ивано-Франковск
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал (18069)
83 ГРН
Транзистор G60N90DG3 G60N90 IGBT 900V 60A TO-264 б.у оригинал. Технические характеристики Напряжение коллектор-эмиттер
Ивано-Франковск