Транзистор IFR3205ZPBF, 55V, 110A, TO220AB
100 ГРН
Характеристики:
• Ток стока: 110 А
• Полярность: N
• Тип корпуса: TO-220AB
• Рабочая температура: -55...175 °C
• Время в
Днепр
Днепр
Транзистор STW20NC50 W20NC50, 500V, 20A, TO-247
100 ГРН
Характеристики:
• Наименование: STW20NC50
• Тип транзистора: MOSFET
• Полярность: N
• Максимальная рассеиваемая мощность
Днепр
Транзистор GP60S50X, 500V, 60A, TO-247
206 ГРН
Транзистор GP60S50X, 500V, 60A, TO-247
Характеристики:
• Тип: MOSFET
• Структура: N-канальный
• Корпус: TO-247
• Напряже
Днепр
Транзистор IRF740 полевой N-канальный
10 ГРН
Транзистор IRF740 полевой N-канальный
Транзистор IRF740 полевой N-канальный 400В 10A корпус TO-220 выполнен на основе пл
Николаев
P- канальный MOSFET транзистор IRLML6402
4 ГРН
P- канальный MOSFET транзистор IRLML6402
IRLML6402PBF является P-канальным силовым МОП-транзистором HEXFET -20В в корпус
Николаев
Польовий транзистор p-канального IRLML6402
3 ГРН
Польовий транзистор p-канального IRLML6402
IRLML6402 - P-канальний МОП-транзистор. Транзистор виготовлений з використан
Николаев
Ампервольтометр испытатель транзисторов Ф434 ( мультиметр) ссср
400 ГРН
В отличном рабочем состоянии. Батарейка и провода - щупамы в комплекте. Все в заводском, стальном кейсе
Киев
Ивано-Франковск
Транзистор полевой IRF530N MOSFET (10241)
22 ГРН
Транзистор полевой IRF530N MOSFET. Технические характеристики Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Макс
Ивано-Франковск
Транзистор Дарлингтона чип ULN2803APG DIP18 (11580)
19 ГРН
Чип ULN2803APG - это матрица из восьми пар NPN транзисторов Дарлингтона (драйвер Дарлингтона работает с высоким напряже
Ивано-Франковск
Транзистор GP50B60PD1 (IRGP50B60PD1PBF) IGBT 600В 75А TO-247AC
100 ГРН
Транзистор IRGP50B60PD1 — це високоефективний N-канальний IGBT транзистор із номінальними характеристиками 75А і 600 В,
Кропивницкий
Транзистор мосфет для інверторів CS28N50 Оригінал
100 ГРН
Транзистор мосфет для інверторів CS28N50 Оригінал
CS28N50ANR MOSFET CS28N50 500V 28A TO-247 NEW
Specification:
1. 500V
Кропивницкий
IRF9540N IRF9540NPBF транзистор польовий MOSFET TO-220
30 ГРН
IRF9540N (IRF9540NPBF) транзистор польовий MOSFET TO-220
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: P
Гранично допустима напруга
Кропивницкий
Транзистор N-Mosfet 75В 130А IRF1407PBF TO-220
45 ГРН
Новий.
Транзистор N-Mosfet 75В 130А IRF1407PBF TO-220
Виробник
International Rectifier (IR)
Корпус
TO220
Структура
N
Схе
Кропивницкий
Транзистор IGBT H30PR5 (IHW30N135R5, IHW30N135R5XKSA1 Infineon)
200 ГРН
Транзистор IGBT H30PR5 (IHW30N135R5, IHW30N135R5XKSA1 Infineon)
Найменування: IHW30N135R5
Маркування: H30PR5
Тип кері
Кропивницкий
Транзистор PW20N60S5 20N60S5 MOSFET 600V 20A TO-247
100 ГРН
Маркування: 20N60S5
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна розсіювана потужність (Pd): 208 W
Гранично допустим
Кропивницкий
Транзистор N-Mosfet 600В 7А SVF7N60F TO-220F
30 ГРН
Новий.
Транзистор N-Mosfet 600В 7А SVF7N60F TO-220F
Технічні параметри:
Корпус - TO-220F
Структура — n-канал + діод
Макс
Кропивницкий
Транзистор полевой IRFP2907 IRFP150NPBF TO-247
70 ГРН
Uds,V: 100 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110
Монтаж: THT
Datasheet (PDF)
https://html.al
Кропивницкий
Транзистор H20MR5 (FGA20S120M, IHW20N120R5, 20N120IHR )
100 ГРН
Найменування: IHW20N120R5
Маркування: H20MR5
Тип керуючого каналу: N-Channel
Максимальна потужність, що розсіюється (Pc
Кропивницкий
Транзистор IGBT IKW50N60T K50T60 600V 50A TO-247
90 ГРН
Тип транзизатора: IGBT
Маркування: K50T60
Тип керівного каналу: N-Channel
Максимальна розсіювана потужність (Pc), W: 333
Кропивницкий
Транзистор S9013 NPN TO-92 5 шт.
13 ГРН
Транзистор S9013 NPN TO — 92.
Технічні характеристики
Полярність: NPN
Максимальна розсіювана потужність (Pc): 0.3
Максім
Кропивницкий