Jedec micron crucial ddr4 sodimm 2400mhz ram dram 4gb pc4-19200 CL17 17-17-17-39

chamillionaire @ ukr . net

olx . ua / d / uk / obyavlenie / micron-crucial-ddr4-sodimm-2400-mhz-ram-dram-4gb-pc4-19200-17-17-17-39-IDQjQNo . html

youtube . com / watch?v=7J7X7aZvMXQ

Ціна за планку = 635 гривень за 1 штуку;

1)* 1827 MTA4ATF51264ZH-2G3B2 MICRON 4GB DPAKQN1003
2)* 1837 MTA4ATF51264HZ-2G3E2 MICRON 4GB DPAL57P009
3)* 1750 MTA4ATF51264HZ-2G3E2 MICRON 4GB DPAJK9E001
4)* 1837 MTA4ATF51264HZ-2G3E2 MICRON 4GB DPAL57P009

динамічна модульна память плата RAM (Random Access Memory) ОЗУ від Micron Crucial DDR4 4 GB 4 гб SDRAM PC4-19200 от iMac 27" intel core i5 MNE92LL/A (Mid 2017) 3070 - A1419.

Micron - виробляє близько чверті світової памьяті DRAM (DYNAMIC Random Access Memory) включно відео-памьять NVIDIA, AMD в їх графічних процесорах, також паралельно ця компанія Micron має свою лінійку виробництва DRAM та твердотильних накопичувачів (SSD) brand 'Crucial'. Це світовий лідер та гігант який фактично є виробником та провідним лідером постачання (SSD).

Технічні характеристики:
Бренд Micron DDR4 виробляється на заводах Micron по всьому світу, включаючи Вірджинію, Японію та Тайвань.
Обьєм оперативної памьяті 1x - 4 ГБ.
Тип оперативної памьяті (Module Bandwidth - PC4-19200) (DDR4 - Double Data Rate) (SDRAM -Synchronous Dynamic Random Access Memory).
(Data Rate MT/s. - Швидкість оперативної памьяті = 2400.
Запис та читання відбувається одночасно зі всіма чіпами в загальному каналі памяті з використанням одного і того ж 31 бітного адресата командних потокових проводків чи шляхів, але з різними (НАНО) проводками даних до кожного чіпа - окремо.

Модуль пам’яті: 2400 (MT/s Data Rate) 17-17-17-39 (Module Type H - Small Outline S.O.-DIMM)
Buffered ECC = False - Буфферізація = Неточна
Clock Frequency - Частота Годинника = 1200 MHz
Напруга живлення: від негативної 0.0 Вт. до 1.2 Вт - 1.2 Volts = 1200 мілі-вольт
Осередки (ячейки) 1T1C мають всі ідентичну здатність та спроможність та ультра розмір (в декілька НАНО розмірних габаритів) - які мають побудовану структуру і складаються з транзистора (який викор. для ізоляції) конденсатора який в свою чергу накопичує електричний заряд чи електрон у вигляді 1 біта даних в одному конденсаторі, матеріал в цьому конд. це ел.провідний чи активний - кремній з рядністью 1 вольт, та негативний (ДЕрядність) який розряжає конд. в нуль 0.0 вольт.
Ємність модуль: 4 ГБ (кожний окремий банк на платі має накопичення до 1 Гб. даних)
Схема таймінгів: (Clock Cycles CL17)
Робоча температура: 0 C до +95 °C

-
тест оперативних плат був виконаний при программі:
MemTest 86 v. 11.3 Pro Build 1000
PassMarkSoftware - passmark com
-

Зведення ОЗУ:
Кількість слотів ОЗУ: 4
Кількість модулів ОЗП: 1
Виявлено кількість SPDs ОЗП: 1
Усього фізичної пам'яті: 3995M

RAM Configuration:
Transfer Speed: 2400MT/s
Channel Mode: x1 Канал
Timings: 17-17-17-39
Voltage: 1.200mV
ECC активний: Ні

даних SPD:
-
SPD: 0
-
Тип ОЗУ: DDR4
Максимальна тактова частота (МГц): 1200 (JEDEC)
Максимальна швидкість передачі даних (MT/s): DDR4-2400
Максимальна пропускна спроможність (МБ/сек.): PC4-19200
Об'єм пам'яті (МБ): 4096
Назва виробника (JEDEC): Micron Technology
Версія SPD: 1.1
Зареєстрований: Ні
ECC: Ні
SPD: 0
Вироблено: 37 тиждень 2018 року
Частина модуля: 4ATF51264HZ-2G3E2
Версія модуля: 0x0032
Порядковий номер модуля: 1E5F113A
Місцезнаходження модуля: 0x0F
ряду адресних бітів: 16
колонки адресних бітів: 10
банків: 8
рангів: 1
Ширина пристрою в бітах: 16
Ширина шини в бітах: 64
Напруга модуля: 1.2V
Підтримувані латентності (CAS): 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21

Таймінги – максимальні частоти JEDEC
Максимальна тактова частота МГц: 1200
Максимальна швидкість передачі MT/s: DDR4-2400
Максимальна пропускна спроможність МБ/сек.: PC4-19200
Мінімальний час циклу, tCK ns: 0.833
Мінімальний час латентності CAS, tAA ns: 13.750
Мінімальна затримка з RAS в CAS, tRCD ns: 13.750
Мінімальний передзавантажувальний час ряду, tRP ns: 13.750