Комплектующие, аксессуары Сумы – транзисторы
-
Транзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал (18073)
11 ГРНТранзистор полевой RU75N08R N-ch MOSFET 80A 75V TO-220 б.у оригинал. Технические характеристики Напряжение: 75 В Ток: 8 -
Транзистор STP65NF06 STripFET 2 N-ch 60V 60A TO-220AB (17813)
8 ГРНТранзистор STP65NF06 STripFET 2 N-ch 60V 60A TO-220AB. Транзисторы с короткими ножками, списанные с производства. Провер -
Транзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB (17066)
28 ГРНТранзистор IRF1010EPBF MOSFET N-Channel 60V 84A TO-220AB. Тип транзистора:N-MOSFET Полярность:полевой Напряжение сток-ис -
Транзистор гироскутера STP110N8F6 110N8F6 MOSFET N-CH 80V 110A TO-220 (15402)
43 ГРНТранзистор гироскутера STP110N8F6 110N8F6 MOSFET N-CH 80V 110A TO-220. -
-
Транзистор полевой IRLML2502TR N-ch 20V 4A (12432)
6 ГРНТранзистор IRLML2502TRPBF, N-канал 20В 4.2А logic [Micro3 / SOT-23]. Технические характеристики Структура: n-канал Макс -
Транзистор B772 2SB772 NPN триодный усилитель звука TO-126 (16868)
3 ГРНТранзистор B772 2SB772 NPN триодной усилитель звука TO-126. Характеристики транзистора Структура: p-n-p Напряжение колле -
Транзистор HY1808 HY1808P 80NF70 75V 85A (11494)
12 ГРНТранзистор HY1808 HY1808P 80NF70 75V 85A. Технические характеристики 75V/85A RDS(ON)= 8 m Ω (typ.) @ VGS=10V Avalanche -
Полевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A (16658)
17 ГРНПолевой транзистор FDD306P 306P MOS P-канал TO-252 12V 6.7A. В этом MOSFET-транзисторе с P-каналом 12 В используется усо -
Биполярный транзистор SS8550 Y2 SOT-23 10шт (11415)
12 ГРНТранзистор SS8550 - PNP medium power transistor 40V, 0.5A Технические характеристики I(c): 0.5A V(cbo): 40V Тип корпуса -
Транзистор GP35B60PD Оригінал! 40A, 600V, IGBT TO-247 демонтаж
85 ГРНТранзистор GP35B60PD Оригінал! 40A, 600V, IGBT TO-247 демонтаж Транзистори заводські, гарної якості, але не нові випая -
Транзистор FGH40N60UFD Оригінал!!! 80A/40A, 600V, IGBT (заміна для FGH40N60SF, F
100 ГРНТранзистор FGH40N60UFD Оригінал!!! 80A/40A, 600V, IGBT (заміна для FGH40N60SF, FGH40N60, 40N60) TO-247 демонтажТранзис -
Оригінальний Транзистор STGW45HF60WDI IGBT 45A/600V TO-247 б/у
120 ГРНОригінальний Транзистор STGW45HF60WDI IGBT 45A/600V TO-247 б/у/span> Транзистори заводські, гарної якості, але не нові -
Оригінальний Транзистор 11N90e Силовий кремнієвий To-247 N-канальний Mosfet FMH1
80 ГРНТранзистор 11N90e Силовий To-247 N-канальний Mosfet оригінал б/уТранзисторы заводские, хорошего качества, но не новые -
Транзистор 60T65PES Magnachip IGBT 650V / 50A для інвертора оригінал б/в
80 ГРНТранзистор 60T65PES Magnachip IGBT 650V / 50A для інвертора оригінал б/вТранзистори заводські, гарної якості, але не н -
Транзистор IGBT G60N100BNTD 1000V 60A 180W TO-247 до зварювання
200 ГРНХарактеристики:Напруга колектор-іміттер (UCES), В1000 Максимально допустимий струм колектора (Ic), А60 Максималь -
IRF9640N P-канальний транзистор польовий MOSFET 18A TO-220AB
37 ГРНIRF9540N (IRF9540NPBF) транзистор польовий MOSFET TO-220Тип транзизора: MOSFETПолярність: PГранично допустима напруга -
Польовий транзистор IGBT 50T65FD1 Транзистор для інвертора Транзистори для зварю
75 ГРНПольовий транзистор IGBT 50T65FD1 Транзистор для інвертора Транзистори для зварювальних інверторівIGBT (Insulated Gate -
Модуль Mosfet із опторозв'язкою F5305S PMOS тригерний модуль польовий транзистор
58 ГРНМодуль Mosfet із опторозв'язкою F5305S PMOS тригерний модуль польовий транзисторУ сучасних проектах на базі Arduino, д -
Транзистор 70S360P7 Infineon ( IPD70R360P7S) оригінал, (заміна TPD70R360M, 70R36
96 ГРНТранзистор 70S360P7 Infineon ( IPD70R360P7S) оригінал, (заміна TPD70R360M, 70R360M) Технічні характеристикиПараметри -
Транзистор польовий IRFP460LC, IRFP460 N-канал 500В 20А
55 ГРНIRFP460LC Транзистор TO-247 (відновлені ніжки) -
MJE3055T Транзистор біжний NPN 60 V 10 A TO-220
18 ГРНБіполярний NPN транзистор TIP120 60 V 5 A TO-220.Технічні характеристикиСтруктура: npn з darlМакс. наприклад к-б у ра -
Транзистор HY3610 HY3610P аналог IRFB4310 160A 100V (11493)
20 ГРНТранзистор IRFB4310 HY3610 HY3610P 160A 100V. Транзисторы выпаянные, перед отправкой проверяем LCR тестером на работоспо -
Транзистор IHW20N120R3 H20R1203 1200V 40A TO-247-3 (14424)
62 ГРНТранзистор IHW20N120R3 H20R1203 1200V 40A TO-247-3. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. -
Транзисторы германиевые ГТ320А, ГТ320Б, ГТ308А, ГТ402Б, ГТ403Ж раритет СССР.
3 ГРНТранзисторы германиевые ГТ320А, ГТ320Б, ГТ308А, ГТ402Б, ГТ403Ж раритет СССР.Цена указана ориентировочно. Цену и нал