Комплектующие, аксессуары Сумы – транзисторы
-
Транзистор IRGP50B60PD IGBT 600V 75A (11495)
95 ГРНТранзистор IRGP50B60PD IGBT 600V 75A. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На ножках заме -
Транзистор FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V (12710)
111 ГРНFGL60N100BNTD, БТИЗ транзистор, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, TO-264, 3 вывод(-ов). Транзисторы выпаяные, рабочие. Техниче -
Транзистор GT40T101 Toshiba IGBT (14656)
63 ГРНТранзистор GT40T101 Toshiba I GBT . Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые, - выпаянные. На ножках замет -
Транзисторы МП14, МП20, МП21, МП25, МП26 , МП39, МП40, МП41, МП42, МП114 П1
30 ГРНТранзисторы МП14, МП20, МП21, МП25, МП26 ,МП37, МП39, МП40, МП41, МП42, МП114 П14 раритет СССР.В лоте 15 шт. Лоты -
-
Транзистори мосфети IGBT біполярні
100 ГРНТранзистори великий вибір зі складу НВП ІМС за готівковий та безготівковий (з пдв) розрахунок, наявність та ціни - htt -
Радиодетали. Диоды. Тумблеры. Конденсаторы.
30 ГРНТранзисторы СССР. Разные радиодетали СССР от 8 грн. ДОГОВОРНАЯ.Имеются следующие радиодетали :Тумблер ТВ1-4. 1 -
Набор транзисторов, стабилитронов ТО-220 регулятор напряжения 16 шт.
125 ГРНУниверсальный набор широко используемых транзисторов, стабилитронов, регуляторов напряжения в корпусе ТО-220 имеют следу -
Комплект транзисторов C5888 A2099 Транзисторная пара Epson R200 / R300
76 ГРНТранзисторная пара C5888 и A2099 для ремонта главных плат принтеров и БФП Epson.Очень часто сгорают после неудачной про -
Комплект транзисторов A2098 C6082 Транзисторная пара Epson R270 / 1410
124 ГРНТранзисторная пара A2098 и C6082 для ремонта главных плат принтеров и БФП Epson.Очень часто сгорают после неудачной про -
Биполярный NPN транзистор C1815 60V 0.15A TO-92 10шт (12605)
11 ГРНБиполярный n-p-n транзистор для миниатюрных устройств C1815. Технические характеристики Структура n-p-n Максимально доп -
Транзистор SI2302 SOT23 SMD N-Channel Mosfet A2SHB 20V 2.3A 1.25W (14258)
3 ГРНТранзистор SI2302 sot23 smd N-Channel Mosfet A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт). Технические характеристики SI2302 маркировка A2 -
Силовой GaN транзистор SMD INN650D080BS Галлий нитрит (20783)
176 ГРН650-вольтовый силовой транзистор GaN-on-Silicon в режиме обогащения в двухплоском корпусе без выводов (DFN) размером 8 м -
Силовой GaN транзистор Галлий нитрид SMD INN100FQ016A (20864)
333 ГРНINN100FQ016A — это усиленный транзистор на основе нитрида галлия (GaN) от компании Innoscience, предназначенный для высо -
Силовой GaN транзистор SMD ISG3201 Галлий нитрит (20781)
430 ГРНISG3201 — это продукт Copak с напряжением 100В из семейства SolidGaN компании Innoscience. Он интегрирует два устройства -
Силовой GaN транзистор SMD INN150LA070A Галлий нитрит (20784)
176 ГРНGaN-on-Silicon E-mode HEMT транзистор с повышенным режимом движения электронов (HEMT) в конструкции Flip chip LGA (FCLGA -
Силовой GaN транзистор SMD INN150FQ032A Галлий нитрит(20785)
330 ГРНВысокоподвижный транзистор (HEMT) на основе GaN-на-кремнии в режиме улучшения в корпусе FCQFN с размером корпуса 4 мм x -
Транзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый (20114)
903 ГРНТранзистор BLF6G10S-45К LDMOS Т-ch 28V 13A SOT608B новый Данный вид транзистора используется в качестве выходного каскад -
Транзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92 5шт (11427)
8 ГРНТранзистор 2N2222A NPN 30V 0.6A TO-92. Технические характеристики Тип материала: Ge Полярность: PNP Максимальная мощнос -
Транзистор 2T1 S9012 0.5A/25В PNP SOT23 SMD 10шт (10906)
10 ГРНТранзистор 2T1 S9012 0.5A/25В PNP SOT23 SMD. Технические характеристики Тип материала: Si Переход: PNP Макс. рассеиваем -
Транзистор полевой 25N120 IGBT N 1200V 25A TO3P выпаян (19362)
36 ГРНТранзистор полевой 25N120 IGBT N 1200V 25A TO3P выпаян. -
Транзистор NCE8580 N-ch 85V 80A TO-220 выпаян (19361)
9 ГРНТранзистор NCE8580 N-ch 85V 80A TO-220 выпаян. -
Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23 10шт (12604)
11 ГРНТранзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23. Технические характеристики Структура - n-p-n Напряжение коллекто -
N-канальный МОП транзистор MOSFET IRF640N (11127)
17 ГРНIRF640N является силовым полевым транзистором.Транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа выпускается в корпус -
Транзистор биполярный E13007 n-p-n 700V 8A ТО-220АВ б.у оригинал (18077)
11 ГРНТранзистор биполярный E13007 n-p-n 700V 8A ТО-220АВ б.у оригинал. Технические характеристики Наименование: CJE13007 Тип