Комплектующие, аксессуары Ивано-Франковск – транзисторы
-
Транзистор 70S360P7 Infineon ( IPD70R360P7S) оригінал, (заміна TPD70R360M, 70R36
96 ГРНТранзистор 70S360P7 Infineon ( IPD70R360P7S) оригінал, (заміна TPD70R360M, 70R360M) Технічні характеристикиПараметри -
Транзистор польовий IRFP460LC, IRFP460 N-канал 500В 20А
55 ГРНIRFP460LC Транзистор TO-247 (відновлені ніжки) -
MJE3055T Транзистор біжний NPN 60 V 10 A TO-220
18 ГРНБіполярний NPN транзистор TIP120 60 V 5 A TO-220.Технічні характеристикиСтруктура: npn з darlМакс. наприклад к-б у ра -
Транзисторы германиевые ГТ320А, ГТ320Б, ГТ308А, ГТ402Б, ГТ403Ж раритет СССР.
3 ГРНТранзисторы германиевые ГТ320А, ГТ320Б, ГТ308А, ГТ402Б, ГТ403Ж раритет СССР.Цена указана ориентировочно. Цену и нал -
-
Чип FGA25N120 25N120 TO-3P, Транзистор IGBT 1200В 25А +диод
55 ГРНБиполярный n-канальный транзистор FGA25N120 в корпусе TO-3P.Имеет изолированный затвор (IGBT) и защитный диод.Модель: F -
Чип BC817-40 100ШТ BC817 6C SOT-23, Транзистор биполярный NPN
60 ГРНЛот из 100 штук!Биполярный n-p-n транзистор BC817-40 в корпусе SOT-23 для усилителей, генераторов сигналов, модуляторов -
Чип BC557B 100ШТ BC557 TO-92, Транзистор биполярный PNP
170 ГРНЛот из 100 штук!Биполярный PNP транзистор BC557B в корпусе TO-92.Максимальное напряжение К-Э: 45 ВМаксимальное напряжени -
Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT
12 ГРНБиполярный транзистор с изолированным затвором 30F131 в корпусе TO-263-2 для использования в плазменных панелях.Максимал -
Чип IRF640N 10ШТ IRF640 TO-220AB, Транзистор полевой N-канальный
170 ГРНЛот из 10 штук!Полевой транзистор IRF640N в корпусе TO-220AB. Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочаст -
Драйвер MOSFET транзистор IRF520 0-24В модуль Arduino PIC ARM
30 ГРНМодуль на основе MOSFET транзистора IRF520 для подключения к выходу контроллера нагрузки, превышающей его возможности. У -
Транзистор 2Т834 2Т827 2Т825 2Т812 2Т809 2Т808 2Т805 2Т803
55 ГРНПродам транзисторы 2Т834АКТ827А 180/200грн2Т827А 220/250грн2Т825А* 300грн/320грн2Т812А2Т809А* 45грн2Т808А* -
NPN транзистор 2N3055 15А 60В силовой для усилителя звука радиоэлектроники
100 ГРН2N3055 — это мощный биполярный низкочастотный транзистор структуры NPN, широко применяемый в усилителях мощности -
Транзистор STW43NM60ND (43NM60ND), 600V, 45A, TO-247
141 ГРНХарактеристики:• Наименование прибора: STW43NM60ND• Тип транзистора: MOSFET• Полярность: N• Максимальная рассеиваема -
Набор транзисторов 250 шт. общего назначения (PNP и NPN) - 25 номиналов, по 10 ш
165 ГРННабор биполярных транзисторов 180 шт. та 250 шт. Маломощные транзисторы в корпусе ТО-92, имеет 18 номиналов по 10 шт. та -
Набор SMD транзисторов SOT-23 всего 180 шт. (18 видов по 10 шт.)
90 ГРНSMD Набор транзисторов SOT-23 (18 видов по 10 шт.) - это универсальный набор из 180 транзисторов различных типов, упако -
Набор транзисторов, стабилитронов L7805, L7809, L7812, L7815, L7905, L7909, L791
145 ГРНУниверсальный набор широко используемых транзисторов, стабилитронов, регуляторов напряжения в корпусе ТО-220 имеют следу -
Набор транзисторов 180 шт (биполярные, маломощные) 2N5551 S8050 S8550 S9012 S901
75 ГРННабор биполярных транзисторов 180 шт. та 250 шт. Маломощные транзисторы в корпусе ТО-92, имеет 18 номиналов по 10 шт. та -
Оригінальний Транзистор 11N90e To-247 N-канальний Mosfet FMH11N90E для оригіналь
75 ГРНТранзистор 11N90e To-247 N-канальний Mosfet оригінал б/вТранзистори заводські, гарної якості, але не нові – випаяні. На -
Транзистор 60T65PES Magnachip IGBT 650V / 50A для інвертора
100 ГРНТранзистор 60T65PES Magnachip IGBT 650V / 50A для інвертора650V /50A Trench Field Stop IGBTМаксимальний робочий струм -
Транзистор TGAN60N60F2DS TGAN60N60F2 TO-3PN силовий для інверторів перетворювачі
110 ГРНТранзистор оригінальний TGAN60N60F2DS. TGAN 60N60F2DS, TGAN60N60F2 Технічні параметри:напруга колектор емітер (U -
Транзистор FGH30S130P індукційної плити для варильної панелі (TO-247)
85 ГРНТранзистор індукційної плити FGH30S130P з ізольованим IGBT затворомМаксимальний робочий струм 60a за t 20ºCНомінальни -
Польовий транзистор IRF530N MOSFET N-Ch 20 V 17A TO220AB
37 ГРНТранзистор IRF630N MOSFET польовий N-канальний 20V 17A корпус TO-220ABМаксимальна розсіювана потужність (Pd): 70 WГр -
Польовий транзистор IRF630N MOSFET N-Ch 200 V 9A TO220AB
37 ГРНТранзистор IRF630N MOSFET польовий N-канальний 250V 14A корпус TO-220ABТип транзистори: N-канальний;Максимальний струм -
H20R1203 IHW20N120R3 PG-TO247-3 Транзистор IGBT 1200V 20A
70 ГРНH20R1203 (IHW20N120R3) характеристики:Призначення: для індукційних плитH20R1203: транзистор IGBТКорпус: TO-247Ви